[發(fā)明專利]一種TADF敏化的熒光有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010581546.6
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111916570B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬東閣;姚晶文;代巖峰;孫倩;楊德志;喬現(xiàn)鋒;陳江山
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 郭煒綿

1.一種熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于結(jié)構(gòu)依次包括襯底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

所述發(fā)光層由主體材料、TADF敏化劑和熒光客體材料構(gòu)成；

所述的主體材料由3,3’-二(9H-咔唑-9-基)-1,1’-聯(lián)苯和2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑按照3:1～1:3范圍內(nèi)的重量比共混組成；

所述的TADF敏化劑為10,10’-(9-甲基-9-嘌呤-2,6-二(4,1-亞苯基))-(10-吩惡嗪)；

所述的熒光客體材料為(E)-4-二腈亞甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：所述TADF敏化劑在發(fā)光層中的摻量為5～20wt.％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光客體材料在發(fā)光層中的摻量為1～3wt.％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光層的厚度為15～30nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：

所述襯底為玻璃、石英、聚合物材料或者金屬材料中的一種；

所述陽極為氧化銦錫、金屬或者石墨烯中的一種，陽極的厚度為100～150nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：所述空穴注入層為2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,2-氮雜苯并菲、MoO₃或V₂O₅中的一種，空穴注入層的厚度為5～15nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：

所述空穴傳輸層材料為4,4’-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，空穴傳輸層的厚度為50～100nm；

所述電子阻擋層材料為4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺和3,3’-二(9H-咔唑-9-基)-1,1’-聯(lián)苯，電子阻擋層的厚度為5～20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：所述電子傳輸層材料為2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或3,3’-[5’-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1’:3’,1”-三聯(lián)苯]-3,3”-二基]二吡啶中的一種，電子傳輸層的厚度為40～60nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于：

所述電子注入層材料為LiF、Li₂CO₃或Cs₂CO₃中的一種，電子注入層的厚度為1～3nm；

所述陰極材料為Al、Au、Ag或Mg:Al合金材料的一種，陰極的厚度為100～150nm。

10.權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的熒光有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

首先對帶有陽極材料玻璃襯底進(jìn)行預(yù)處理，包括堿液超聲、去離子水沖洗、高壓氮?dú)獯蹈伞⒑嫦浜婵竞妥贤獬粞跆幚恚缓蟀褞в嘘枠O玻璃放入鍍膜機(jī)中，用機(jī)械泵和分子泵將鍍膜機(jī)的抽真空至壓強(qiáng)1×10^-4Pa以下，在帶有陽極的玻璃表面蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述的TADF敏化的熒光有機(jī)發(fā)光二極管。