[發(fā)明專利]制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法及有機(jī)光伏器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010580716.9
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111697137B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐建新;任昊;陳敬德;李艷青
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H10K30/50
• 分類號: H10K30/50;H10K30/88;H10K30/81;H10K77/10;H10K71/50
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 王玉仙

1.一種制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：制備器件，分別制備器件的第一器件底部和第一器件頂部，所述第一器件底部包括：第一基底、位于所述第一基底上的第一電極、位于所述第一電極上的空穴傳輸層、位于所述空穴傳輸層上的超厚吸收層；所述第一器件頂部包括：第二基底、位于所述第二基底表面上的粘合層、位于所述粘合層上的第二電極、位于所述第二電極上的電子傳輸層，所述第二基底沿長度方向設(shè)有多個凸體；

步驟S2：將所述第一器件頂部壓合在所述第一器件底部上，使所述凸體伸入至所述超厚吸收層上，得到有機(jī)光伏器件，其中所述超厚吸收層的厚度大于500nm，所述超厚吸收層的制備方法為：使用刮涂、旋涂、打印、噴涂工藝制備，所述第一基底采用透明的剛性材料；所述第二基底是PDMS。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法，其特征在于：所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法，其特征在于：所述超厚吸收層的厚度大于500nm, 所述空穴傳輸層厚度為80nm-120nm,所述第一電極的厚度為100nm-200nm。

4.一種層壓法制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件，根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法制備而成，其特征在于，包括：第一器件底部和第一器件頂部，所述第一器件底部包括：第一基底、位于所述第一基底上的第一電極、位于所述第一電極上的空穴傳輸層、位于所述空穴傳輸層上的超厚吸收層；所述第一器件頂部包括：第二基底、位于所述第二基底表面上的粘合層、位于所述粘合層上的第二電極、位于所述第二電極上的電子傳輸層，所述第二基底沿長度方向設(shè)有多個凸體；所述第一器件頂部壓合在所述第一器件底部上，使所述凸體伸入至所述超厚吸收層上，其中所述超厚吸收層的厚度大于500nm。

5.一種制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：制備器件，分別制備器件的第二器件底部和第二器件頂部，所述第二器件底部包括：第一基底、位于所述第一基底上的第一電極、位于所述第一電極上的電子傳輸層、位于所述電子傳輸層上的超厚吸收層；所述第二器件頂部包括：第二基底、位于所述第二基底表面上的粘合層、位于所述粘合層上的第二電極、位于所述第二電極上的空穴傳輸層，所述第二基底沿長度方向設(shè)有多個凸體；

步驟S2：將所述第二器件頂部壓合在所述第二器件底部上，使所述凸體伸入至所述超厚吸收層上，得到有機(jī)光伏器件，其中所述超厚吸收層的厚度大于500nm，所述超厚吸收層的制備方法為：使用刮涂、旋涂、打印、噴涂工藝制備，所述第一基底采用透明的剛性材料；所述第二基底是PDMS。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法，其特征在于：所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極。

7.一種層壓法制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件，根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備超厚吸收層的有機(jī)光伏器件的方法制備而成，其特征在于，包括：第二器件底部和第二器件頂部，所述第二器件底部包括：第一基底、位于所述第一基底上的第一電極、位于所述第一電極上的電子傳輸層、位于所述電子傳輸層上的超厚吸收層；所述第二器件頂部包括：第二基底、位于所述第二基底表面上的粘合層、位于所述粘合層上的第二電極、位于所述第二電極上的空穴傳輸層，所述第二基底沿長度方向設(shè)有多個凸體，所述第二器件頂部壓合在所述第二器件底部上，使所述凸體伸入至所述超厚吸收層上，其中所述超厚吸收層的厚度大于500nm。