[發明專利]半導體結構、其制作方法、半導體存儲器及電子設備

在審

• 申請號: 202010576048.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903739A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 張鉉瑀;許民;吳容哲;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

多個下電極，設置在所述襯底上并在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上間隔排列；

支撐物圖案，支撐所述多個下電極，該支撐物圖案具有多個圓形的敞開區域，每個所述敞開區域連接預設數量個下電極并暴露所連接的每個下電極的側壁的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

第二支撐物圖案，位于所述襯底和所述第一支撐物圖案之間，支撐所述多個下電極，并且與所述第一支撐物圖案具有相同圖案。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底包括第一電極區域和圍繞所述第一電極區域的第二電極區域；所述多個下電極設置在所述第一電極區域內。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

多個虛設下電極，設置在所述第二電極區域內。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

設置在所述下電極上的電容器電介質膜；以及，

設置在所述電容器電介質膜上的上電極。

6.根據權利要求1至5任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述預設數量為3。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，在第一方向上相鄰的兩個敞開區域分別為第一敞開區域和第二敞開區域，在第二方向上與所述第一敞開區域相鄰的敞開區域為第三敞開區域；

所述第一敞開區域所連接的3個下電極分別位于三角形的三個頂點，所述第二敞開區域所連接的3個下電極分別位于倒三角形的三個頂點，所述第三敞開區域所連接的3個下電極分別位于三角形的三個頂點。

8.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成模制層和支撐物形成層；

通過蝕刻所述模制層和所述支撐物形成層而形成暴露所述襯底的多個孔；

通過將導電材料覆到所述多個孔的內壁上而形成多個下電極；以及，

利用光刻工藝蝕刻所述支撐物形成層以形成多個圓形的敞開區域并形成連接所述多個下電極的第一支撐物圖案。

9.一種半導體存儲器，其特征在于，包括：

如權利要求1至7中任一項所述的半導體結構。

10.一種電子設備，其特征在于，包括：

如權利要求9所述的半導體存儲器。

11.根據權利要求10所述的電子設備，其特征在于，包括智能電話、計算機、平板電腦、可穿戴智能設備、人工智能設備、移動電源。