[發明專利]一種電容式光電探測器

有效

• 申請號: 202010574763.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111668327B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 崔積適;王娟;崔文靜;陳洪敏
• 申請（專利權）人: 三明學院
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/101
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 楊唯

1.一種電容式光電探測器，其特征在于，包括：第一電極板、第二電極板和光吸收部；所述光吸收部設于所述第一電極板和所述第二電極板之間，所述第一電極板和所述第二電極板二者同所述光吸收部之間均具有間隙；所述光吸收部包括至少兩組光電效應單元，所述光電效應單元由能夠獨立發揮光電效應的材料制成；其中，所述光電效應單元為pn結，沿由所述第一電極板指向所述第二電極板的方向，所述光電效應單元之間呈連續設置。

2.根據權利要求1所述的電容式光電探測器，其特征在于，沿由所述第一電極板指向所述第二電極板的方向，所述光電效應單元的厚度均相同。

3.根據權利要求1所述的電容式光電探測器，其特征在于，沿由所述第一電極板指向所述第二電極板的方向，所述光電效應單元的p型半導體的厚度同n型半導體的厚度相同。

4.根據權利要求1所述的電容式光電探測器，其特征在于，沿由所述第一電極板指向所述第二電極板的方向，所述光電效應單元的p型半導體的厚度同n型半導體的厚度之比為1：2.8125。

5.根據權利要求1所述的電容式光電探測器，其特征在于，沿由所述第一電極板指向所述第二電極板的方向，所述光電效應單元的厚度大于或等于50nm。

6.根據權利要求1所述的電容式光電探測器，其特征在于，所述第一電極板和所述第二電極板平行設置。