[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010572452.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112447642A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳威宇;蘇安治;黃立賢;楊天中;葉名世 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/48 | 分類號(hào)： | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/50;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
半導(dǎo)體管芯，包括：
半導(dǎo)體襯底；
多個(gè)導(dǎo)電襯墊，分布在所述半導(dǎo)體襯底上方；
多個(gè)導(dǎo)通孔，設(shè)置于所述導(dǎo)電襯墊上且電連接到所述導(dǎo)電襯墊；以及
介電層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上方且使所述導(dǎo)通孔彼此間隔開(kāi)，所述介電層的側(cè)壁沿著所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁延伸，所述導(dǎo)通孔從所述介電層的頂表面凹陷且所述介電層的傾斜表面連接到所述介電層的所述頂表面及所述介電層的所述側(cè)壁；以及
絕緣密封體，橫向地覆蓋所述半導(dǎo)體管芯。
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