[發明專利]非晶態CrSiCN涂層及其制備方法、應用、導電膜和電子設備有效
| 申請號： | 202010567004.3 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN111850486B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 王強;晏柱;薛濤 | 申請（專利權）人： | 維達力實業（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/18;A61B5/0245;A61B5/263 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 馬小悅 |
| 地址： | 518129 廣東省深圳市龍崗區坂田街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶態 crsicn 涂層 及其 制備 方法 應用 導電 電子設備 | ||
1.一種非晶態CrSiCN涂層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
真空條件下，采用CrSi合金靶為靶材，通入惰性氣體、C2H2和N2，進行氣相沉積，得到非晶態CrSiCN涂層；
其中，所述氣相沉積采用離子源輔助沉積；
所述CrSi合金靶中，Cr和Si的總摩爾數與Cr的摩爾數之比為10:(3~4)；
所述氣相沉積所采用的離子源的電流為1A~3A；
所述氣相沉積所采用靶功率為6kW~8kW。
2.如權利要求1所述的非晶態CrSiCN涂層的制備方法，其特征在于，除
所述CrSi合金靶之外，還采用Cr等靜壓靶為靶材。
3.如權利要求1至2任一項所述的非晶態CrSiCN涂層的制備方法，其特
征在于，所述CrSi合金靶中，Cr和Si的摩爾數比為3:7。
4.如權利要求1至2任一項所述的非晶態CrSiCN涂層的制備方法，其特
征在于，所述真空條件的壓強為0.1Pa~1.0Pa；
所述惰性氣體的流量為200sccm~800sccm；
所述C2H2的流量為10sccm~100sccm；
所述N2的流量為20sccm~100sccm。
5.一種非晶態CrSiCN涂層，其特征在于，采用如權利要求1至4任一項
所述的非晶態CrSiCN涂層的制備方法制得。
6.如權利要求5所述的非晶態CrSiCN涂層，其特征在于，所述非晶態CrSiCN涂層的厚度為0.5μm~0.8μm。
7.如權利要求5至6任一項所述的非晶態CrSiCN涂層在制備電子設備中的應用。
8.一種導電膜，其特征在于，包括基材及如權利要求5或6所述的非晶態CrSiCN涂層，所述非晶態CrSiCN涂層設于所述基材上。
9.如權利要求8所述的導電膜，其特征在于，所述基材為非金屬材質；所述導電膜還包括設于所述基材與所述非晶態CrSiCN涂層之間的中間層，所述中間層為金屬層或合金層。
10.如權利要求9所述的導電膜，其特征在于，所述中間層的厚度為0.2μm~0.4μm；所述非晶態CrSiCN涂層的厚度為0.5μm~0.8μm。
11.一種導電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
真空條件下，采用CrSi合金靶為靶材，通入惰性氣體、C2H2和N2，在基材上進行氣相沉積，得到非晶態CrSiCN涂層；
其中，所述氣相沉積采用離子源輔助沉積；
所述CrSi合金靶中，Cr和Si的總摩爾數與Cr的摩爾數之比為10:(3~4)；
所述氣相沉積所采用的離子源的電流為1A~3A；
所述氣相沉積所采用靶功率為6kW~8kW；
所述基材為非金屬材質。
12.如權利要求11所述的導電膜的制備方法，其特征在于，所述導電膜的制備方法還包括制備中間層的步驟：
在進行所述氣相沉積的步驟之前，先在所述基材上形成中間層，所述中間層為金屬層或合金層。
13.如權利要求12所述的導電膜的制備方法，其特征在于，所述形成中間層的步驟采用物理氣相沉積制得，形成所述中間層的工藝條件為：真空壓強為0.1Pa~1.0Pa；惰性氣體的流量為200sccm~800sccm；離子源的電流1A~3A；靶功率為6kW~8kW。
14.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備含有如權利要求8至10任一項所述的導電膜或如權利要求11至13任一項所述的制備方法制得的導電膜。
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