[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010566724.8 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN111640778A | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金秀剛;具沅會;張志向;趙昭英 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 劉雯鑫;陳煒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 顯示裝置 | ||
公開了一種發(fā)光顯示裝置,其有助于提高像素的光提取效率并使每個像素的光提取效率最大化,其中,該發(fā)光顯示裝置包括:具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板;涂層,其設置在所述基板上并且在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的每一個中具有多個凸出部分;以及發(fā)射元件,其設置在所述多個凸出部分上,其中,設置在所述第一區(qū)域中的多個凸出部分的間距與設置在所述第二區(qū)域中的多個凸出部分的間距不同。
本申請為于2018年6月29日提交、申請?zhí)枮?01810696558.6、發(fā)明名稱為“發(fā)光顯示裝置”的中國專利申請的分案申請。所述母案申請要求于2017年6月30日提交的韓國專利申請第10-2017-0083811號的權益。
技術領域
本公開涉及發(fā)光顯示裝置。
背景技術
發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光顯示裝置,并且因為與液晶顯示裝置不同,它不需要單獨的光源,因此可以以輕質和薄型尺寸制造。另外,從功耗的角度考慮,發(fā)光顯示裝置是有利的并且對于響應速度也是優(yōu)異的,由此發(fā)光顯示裝置已經(jīng)作為下一代顯示器被研究。
發(fā)光顯示裝置根據(jù)包括插入在兩個電極之間的發(fā)射層的發(fā)射裝置的發(fā)光來顯示圖像。在這種情況下,由發(fā)射裝置的發(fā)光產(chǎn)生的光通過電極和基板發(fā)射到外部。
然而,由于在發(fā)射層與電極之間的界面或者在基板與空氣層之間的界面上的全反射,從發(fā)光顯示裝置的發(fā)射層產(chǎn)生的一些光不發(fā)射到外部,從而由此降低光提取效率。因此,低光提取效率引起發(fā)光顯示裝置中亮度的降低和功耗的增加。
發(fā)明內容
因此,本公開的各個方面涉及一種基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或更多個問題的發(fā)光顯示裝置以及一種包括該發(fā)光顯示裝置的顯示設備。
本公開的一個方面旨在提供一種有助于提高像素的光提取效率并且使像素中每個的光提取效率最大化的發(fā)光顯示裝置。
將在下面的描述中部分地闡述本公開的各個方面的另外的優(yōu)點和特征,并且這些優(yōu)點和特征當對于下述進行考察時對于本領域普通技術人員而言將部分地是明顯的,或者可以從本公開的各個方面的實踐中獲知。通過在書面描述及其權利要求以及附圖中所具體指出的結構可以實現(xiàn)和得到本公開的各個方面的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本公開的各個方面的目的,如在本文中具體化和廣泛描述的,提供了一種發(fā)光顯示裝置,其可以包括:具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板;平坦化涂層,其布置在基板上并且被配置成具有布置在第一區(qū)域上的第一彎曲圖案和布置在第二區(qū)域上的第二彎曲圖案;以及布置在第一彎曲圖案和第二彎曲圖案上的發(fā)射裝置,其中,與第一彎曲圖案交疊的平坦化涂層的厚度和與第二彎曲圖案交疊的平坦化涂層的厚度不同,并且第一彎曲圖案和第二彎曲圖案中的每個包括具有0.4至0.6的縱橫比的多個凸出部分。
本公開還提供了一種發(fā)光顯示裝置,包括:具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板;涂層,其設置在所述基板上并且在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的每一個中具有多個凸出部分;以及發(fā)射元件,其設置在所述多個凸出部分上,其中,設置在所述第一區(qū)域中的多個凸出部分的間距與設置在所述第二區(qū)域中的多個凸出部分的間距不同。
本公開還提供了一種發(fā)光顯示裝置,包括:基板;像素,其設置在所述基板上并且包括多個子像素;涂層,其設置在所述基板上并且在所述多個子像素的每一個中具有多個凸出部分;以及發(fā)射元件,其設置在所述多個凸出部分上,其中,設置在所述多個子像素的至少一個子像素中的多個凸出部分的間距與設置在相鄰的子像素中的多個凸出部分的間距不同。
應當理解,本公開的各個方面的前述一般描述和下面的詳細描述均是示例性和說明性的,并且旨在提供對所要求保護的本公開的進一步說明。
附圖說明
包括附圖以提供對本公開的各個方面進一步理解,并且附圖被并入本申請中并構成本申請的一部分,附圖示出了本公開的各個方面,并且與說明書一起用于說明本公開的各個方面的原理。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





