[發明專利]靜電吸盤和襯底固定裝置

在審

• 申請號: 202010565525.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112117229A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 堀內道夫;津野將彌
• 申請（專利權）人: 新光電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

本發明提供一種靜電吸盤和襯底固定裝置，該靜電吸盤包括：至少一個導體層；靜電電極；以及基體，靜電電極埋入在基體中，基體具有第一介電層，靜電電極安裝在第一介電層上，基體具有堆疊在第一介電層上并覆蓋靜電電極的第二介電層。導體層形成在第一介電層的與安裝靜電電極的表面相反的表面上。第二介電層具有面向第一介電層的第一表面以及與第一表面相反的第二表面，并且第二表面是放置吸附對象的放置表面。第一介電層的相對介電常數低于第二介電層的相對介電常數。

技術領域

本發明涉及一種靜電吸盤和襯底固定裝置。

背景技術

在現有技術中，在半導體器件的制造中使用的成膜裝置和等離子蝕刻裝置均具有用于將晶片準確地保持在真空處理腔內的臺部。作為該臺部，例如，提出了一種襯底(基片)固定裝置，其構造為通過安裝在基板上的靜電吸盤來吸附和保持晶片。

在解除吸附時，靜電吸盤中可能保留有吸力，從而要考慮針對殘余吸力的對策。作為一個實例，存在包括這樣的裝置的襯底固定裝置：其用于去除水分并且能夠防止水分附著到靜電吸盤和吸附對象之間的接觸表面。該襯底固定裝置防止了這樣的情況：水分附著到靜電吸盤和吸附對象之間的接觸表面，使得相對介電常數增大而增大殘余吸力，從而顯著地劣化吸附對象與靜電吸盤的分離能力(例如，參考PTL 1)。

引文列表

專利文獻

[PTL 1]JP-A-2004-260142

然而，由于水分不是使殘余吸力增大的唯一因素，因此需要能夠減小殘余吸力的新的措施。

發明內容

本公開的非限制性實施例的一個方面是提供一種能夠減小殘余吸力的靜電吸盤和襯底固定裝置。

根據本公開的非限制性實施例的靜電吸盤包括：

至少一個導體層；

靜電電極；以及

基體，所述靜電電極埋入在所述基體中，所述基體具有第一介電層，所述靜電電極安裝在所述第一介電層上，所述基體具有堆疊在所述第一介電層上并覆蓋所述靜電電極的第二介電層，

其中，所述導體層形成在所述第一介電層的與安裝有所述靜電電極的表面相反的表面上，

所述第二介電層具有面向所述第一介電層的第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面，并且所述第二表面是放置吸附對象的放置表面，并且

所述第一介電層的相對介電常數低于所述第二介電層的相對介電常數。

根據本發明，能夠提供一種能夠降低殘余吸力的靜電吸盤以及襯底固定裝置。

附圖說明

圖1是例示了根據第一實施例的襯底固定裝置的截面圖。

圖2例示了時間與殘余電荷之間的關系的模擬結果。

圖3是例示根據第二實施例的襯底固定裝置的截面圖。

圖4例示了孔隙度和相對介電常數之間的關系的模擬結果。

圖5例示了孔隙度和熱導率之間的關系的模擬結果。

圖6是實例中得到的SEM圖像的一個實例。

圖7A和圖7B是圖6的放大圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖描述本公開的各實施例。在各圖中，對相同的構成部分標注相同的附圖標記，并且可以省略重復的描述。

第一實施例