[發明專利]磁盤裝置以及寫處理方法

有效

• 申請號: 202010564583.6
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113035245B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發明（設計）人: 磯川博
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B20/12
• 分類號: G11B20/12;G11B5/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張潔;段承恩

實施方式提供能夠提高可靠性的磁盤裝置以及寫處理方法。本實施方式涉及的磁盤裝置具備：盤，其具有第1區域、和臨時寫入數據的第2區域；頭，其具有向所述盤寫入數據的寫頭、和產生提高所述寫頭的寫性能的能量的輔助元件；以及控制器，其對所述輔助元件供給第1值的能量而向所述第1區域寫入數據，對所述輔助元件供給不同于所述第1值的第2值的能量而向所述第2區域寫入數據。

本申請享受以日本專利申請2019-234851號(申請日：2019年12月25日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包括基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及磁盤裝置以及寫(write，寫入)處理方法。

背景技術

為了實現磁盤裝置的高記錄密度化以及高記錄容量化，開發了高頻(微波)輔助磁記錄型式(Microwave Assisted Magnetic Recording：MAMR)、熱輔助磁記錄(ThermallyAssisted Magnetic Recording：TAMR)型式等。高頻輔助記錄型式是如下技術：使用具有通過被施加記錄電流而被勵磁來產生記錄磁場的記錄磁極(主磁極)和高頻振蕩器的磁頭，將通過對高頻振蕩器通電而產生的高頻磁場施加于盤(disk)，從而使施加了高頻磁場的盤的部分的頑磁力降低。熱輔助磁記錄型式是如下技術：使用具有向盤進行照射光的照射的光照射元件的磁頭，從光照射元件的前端對盤進行照射光的照射以將盤局部加熱，從而使被加熱的盤的部分的頑磁力降低。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠提高可靠性的磁盤裝置以及寫處理方法。

本實施方式涉及的磁盤裝置具備：盤，其具有第1區域、和臨時寫入數據的第2區域；頭(head)，其具有向所述盤寫入數據的寫頭、和產生提高所述寫頭的寫性能的能量(energy)的輔助元件；以及控制器，其對所述輔助元件供給第1值的能量而向所述第1區域寫入數據，對所述輔助元件供給不同于所述第1值的第2值的能量而向所述第2區域寫入數據。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式涉及的磁盤裝置的構成的框圖。

圖2是表示第1實施方式涉及的相對于盤的頭的配置的一例的示意圖。

圖3是表示第1實施方式涉及的盤以及頭的一例的放大剖視圖。

圖4是表示第1實施方式涉及的通常(普通)寫處理時的寫選通(write gate)與元件能量偏置(energy bias)的一例的時間圖(timing chart)。

圖5是表示第1實施方式涉及的臨時保存處理時的寫選通與元件能量偏置的一例的時間圖。

圖6是表示第1實施方式涉及的相對于元件能量值的線記錄密度的變化的一例的示意圖。

圖7是表示第1實施方式涉及的表示線記錄密度與衰減率的關系的表(table)的一例的示意圖。

圖8是表示第1實施方式涉及的寫處理的一例的流程圖。

圖9是表示變形例1涉及的相對于盤的頭的配置的一例的示意圖。

圖10是表示第2實施方式涉及的頭的一例的放大剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。此外，附圖僅為一例，并非限定發明的范圍。

(第1實施方式)

圖1是表示第1實施方式涉及的磁盤裝置1的構成的框圖。