[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010564272.X | 申請(qǐng)日: | 2020-06-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112117306A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸埈亨;金相佑;辛在敏;朱惠珍;洪鐘昊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 張逍遙;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底,包括島部和從所述島部在彼此不同的方向上延伸的多個(gè)連接部;
顯示單元,位于所述島部上,所述顯示單元包括至少一個(gè)顯示元件;以及
封裝層,覆蓋所述至少一個(gè)顯示元件,并且包括無(wú)機(jī)封裝層和有機(jī)封裝層,
其中,所述顯示單元包括:
至少一個(gè)有機(jī)絕緣層;以及
無(wú)機(jī)絕緣層,位于所述至少一個(gè)有機(jī)絕緣層上,所述無(wú)機(jī)絕緣層具有尖端,所述尖端在與所述基底的上表面平行的方向上突出超過(guò)所述至少一個(gè)有機(jī)絕緣層的側(cè)表面,并且
所述無(wú)機(jī)封裝層與所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述尖端并排。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述無(wú)機(jī)封裝層與所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述尖端的底表面并排。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述無(wú)機(jī)封裝層的一部分從所述尖端的所述底表面延伸,并且覆蓋所述至少一個(gè)有機(jī)絕緣層的所述側(cè)表面和所述基底的側(cè)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)顯示元件包括發(fā)射紅光的第一顯示元件、發(fā)射藍(lán)光的第二顯示元件和發(fā)射綠光的第三顯示元件,并且
根據(jù)平面圖,所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述尖端位于所述第一顯示元件、所述第二顯示元件和所述第三顯示元件周圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)顯示元件包括:
像素電極,位于所述無(wú)機(jī)絕緣層上;
像素限定層,位于所述像素電極上,所述像素限定層具有與所述像素電極疊置的開(kāi)口;
中間層,具有與所述像素電極疊置的發(fā)射層;以及
對(duì)電極,位于所述中間層上,
其中,所述對(duì)電極覆蓋所述島部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述中間層包括位于所述像素電極與所述對(duì)電極之間的至少一個(gè)功能層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述無(wú)機(jī)封裝層和所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述尖端彼此并排處的區(qū)域是無(wú)機(jī)接觸區(qū)域,所述無(wú)機(jī)接觸區(qū)域位于所述至少一個(gè)顯示元件周圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
間隔件,位于所述島部上,
其中,所述無(wú)機(jī)接觸區(qū)域的一部分位于所述間隔件與所述至少一個(gè)顯示元件之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,在平面圖中,所述無(wú)機(jī)絕緣層具有突出超過(guò)所述至少一個(gè)有機(jī)絕緣層的所述側(cè)表面的第二尖端,所述無(wú)機(jī)封裝層與所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述第二尖端并排,并且所述無(wú)機(jī)封裝層和所述無(wú)機(jī)絕緣層的所述第二尖端彼此并排處的區(qū)域是第二無(wú)機(jī)接觸區(qū)域,所述第二無(wú)機(jī)接觸區(qū)域與所述無(wú)機(jī)接觸區(qū)域分開(kāi),并且位于所述間隔件周圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
電源電壓供應(yīng)線,位于所述島部上,
其中,所述對(duì)電極與所述電源電壓供應(yīng)線之間的接觸部分位于所述無(wú)機(jī)接觸區(qū)域內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述電源電壓供應(yīng)線從所述島部延伸到所述多個(gè)連接部之中的至少一個(gè)連接部上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第二無(wú)機(jī)絕緣層,位于所述島部與所述至少一個(gè)連接部之間,
其中,所述第二無(wú)機(jī)絕緣層覆蓋所述電源電壓供應(yīng)線的上表面的一部分,并且與所述無(wú)機(jī)接觸區(qū)域疊置。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述基底包括重復(fù)地布置的基本單元,所述基本單元均包括所述島部和所述多個(gè)連接部,并且
閉合線形成在所述基本單元之中的相鄰基本單元之間,其中,所述閉合線限定其中不存在所述島部的部分和所述多個(gè)連接部的部分的間隔區(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





