[發(fā)明專(zhuān)利]一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010563192.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111901959A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文和;趙波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 黃石滬士電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K1/02
• 分類(lèi)號(hào): H05K1/02;H05K3/00;G01R31/52;G01R31/54
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 俞翠華

本發(fā)明公開(kāi)了一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路和方法，所述PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路包括測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)，所述第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)之間通過(guò)線路相連；所述線路包括帶有缺口的測(cè)試環(huán)，所述測(cè)試環(huán)的內(nèi)徑與背鉆孔的直徑相等。本發(fā)明采用自動(dòng)化量測(cè)取代現(xiàn)有技術(shù)中需要依靠人工的切片量測(cè)，能夠準(zhǔn)確地測(cè)量出測(cè)背鉆孔與內(nèi)層圖形間的偏移。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于PCB背鉆對(duì)位測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路方法。

背景技術(shù)

在PCB的背鉆生產(chǎn)工藝流程中，對(duì)位能力的判定只能通過(guò)配合使用X射線和放大鏡來(lái)進(jìn)行量測(cè)，且只能量測(cè)到背鉆孔與通孔的偏移，無(wú)法準(zhǔn)確地量測(cè)到背鉆孔與PCB內(nèi)層圖型間的偏移，如需要準(zhǔn)備量測(cè)背鉆孔與內(nèi)層圖形偏移只能采用切片量測(cè)。現(xiàn)有技術(shù)中的切片量測(cè)不僅效率低，無(wú)法自動(dòng)化，且量測(cè)誤差大。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路方法，采用自動(dòng)化量測(cè)取代現(xiàn)有技術(shù)中需要依靠人工的切片量測(cè)，能夠準(zhǔn)確地測(cè)量出測(cè)背鉆孔與內(nèi)層圖形間的偏移。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

第一方面，本發(fā)明提供了一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)電路，包括：測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)，所述第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)之間通過(guò)線路相連；所述線路包括帶有缺口的測(cè)試環(huán)，所述測(cè)試環(huán)的內(nèi)徑與背鉆孔的直徑相等。

可選地，所述線路包括多個(gè)順次設(shè)置且?guī)в腥笨诘臏y(cè)試環(huán)，相鄰測(cè)試環(huán)之間通過(guò)導(dǎo)線相連。

可選地，所述導(dǎo)線的線寬與測(cè)試環(huán)的線寬相等。

可選地，所述測(cè)試環(huán)的數(shù)量為4。

可選地，相鄰測(cè)試環(huán)之間的導(dǎo)線為直線型。

可選地，所述線路的數(shù)量大于1，各組線路中測(cè)試環(huán)的環(huán)寬均不相等，各線路之間不連通。

可選地，各組線路中測(cè)試環(huán)的環(huán)寬分別為3mil、4mil、5mil、6mil和7mil。

第二方面，本發(fā)明提供了一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)方法，包括以下步驟：

在PCB板上設(shè)有內(nèi)層圖形的部分設(shè)置測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)，所述第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)之間通過(guò)線路相連；所述線路包括帶有缺口的測(cè)試環(huán)，所述測(cè)試環(huán)的內(nèi)徑與背鉆孔的直徑相等；

當(dāng)背鉆孔偏移時(shí)，則會(huì)鉆到測(cè)試環(huán)，如果第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)之間為開(kāi)路狀態(tài)，則說(shuō)明測(cè)試環(huán)被鉆斷，背鉆孔的偏移尺寸大于該測(cè)試環(huán)的環(huán)寬；如果第一測(cè)點(diǎn)和第二測(cè)點(diǎn)之間為短路狀態(tài)，則說(shuō)明測(cè)試環(huán)未被鉆斷，背鉆孔的偏移尺寸小于該測(cè)試環(huán)的環(huán)寬。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提出一種PCB背鉆對(duì)位能力量測(cè)方法，采用自動(dòng)化量測(cè)取代現(xiàn)有技術(shù)中需要依靠人工的切片量測(cè)，能夠準(zhǔn)確地測(cè)量出測(cè)背鉆孔與內(nèi)層圖形間的偏移。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中：

圖1為本發(fā)明一種實(shí)施例的測(cè)試線路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一種實(shí)施例的測(cè)試環(huán)與背鉆孔的位置示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的應(yīng)用原理作詳細(xì)的描述。

實(shí)施例1