[發明專利]電容電感嵌埋結構及其制作方法和基板

有效

• 申請號: 202010553554.X
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111834341B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 陳先明;馮磊;楊威源;黃本霞;洪業杰
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/13
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 俞梁清

1.一種電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供金屬板；

在所述金屬板上表面依次沉積第一保護層、薄膜介質層、第二保護層和上電極層，并對所述第一保護層、所述薄膜介質層、所述第二保護層和所述上電極層刻蝕形成薄膜電容及電容上電極；

壓合上介質層至所述金屬板上表面，所述上介質層覆蓋所述薄膜電容和所述電容上電極，刻蝕所述金屬板，形成電容下電極，所述電容上電極、所述薄膜電容和所述電容下電極依次連接組成電容；

壓合下介質層至所述金屬板下表面，對所述上介質層和所述下介質層鉆孔，形成電感通孔和電容電極通孔；

電鍍金屬形成電感和線路層，所述電感設置在所述電感通孔中，所述線路層連通所述電感和所述電容；

在上下表面沉積阻焊層，并對所述阻焊層光刻形成所述線路層電極窗口。

2.根據權利要求1所述的電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于，還包括：對所述電極窗口表面進行抗氧化處理，形成保護膜。

3.根據權利要求1所述的電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于：還包括沉積種子層，所述種子層覆蓋在所述電感外壁、所述電容上表面和下表面以及所述線路層下表面。

4.根據權利要求1所述的電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于：所述電容電極通孔包括上電極導通孔和下電極導通孔，分別對應設置于所述電容上電極和所述電容下電極表面。

5.根據權利要求1所述的電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于：所述薄膜介質層包括氧化鋁、二氧化硅、鈦酸鈣、鈦酸鋇、鈦酸鍶、氮化硅、氧化鈦和氧化鉭中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的電容電感嵌埋結構制作方法，其特征在于：所述第一保護層和所述第二保護層為金屬材料，所述第一保護層和所述第二保護層厚度大于等于200nm。