[發(fā)明專利]觸控顯示面板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010547056.4
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111651088B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李遠(yuǎn)航
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

本申請公開了觸控顯示面板及其制作方法，觸控顯示面板包括顯示區(qū)，觸控顯示面板包括顯示面板和觸控面板，觸控面板包括第一電極，第一電極設(shè)于顯示區(qū)，第一電極設(shè)于顯示面板上，第一電極的組成材料包括感光銀漿材料；該方案提高了觸控顯示面板的良品率，并且降低了觸控顯示面板的成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及顯示面板制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及觸控顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

DOT(Direct On Cell Touch，片上觸控)技術(shù)作為一種集成OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)及觸控結(jié)構(gòu)為一體的技術(shù)，相對于外掛式觸控技術(shù)，具有高透過率、耐彎折性及輕薄等特點(diǎn)，將引領(lǐng)OLED顯示觸控面板的發(fā)展方向。

現(xiàn)有技術(shù)中采用低溫真空工藝形成觸控結(jié)構(gòu)，雖然可以顧及OLED器件耐熱性差的問題，但是上述低溫真空工藝需要經(jīng)過低溫PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)、低溫CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)和低溫干刻等制程，低溫PVD制程或者低溫CVD制程導(dǎo)致最終成膜的膜質(zhì)特性差，且低溫PVD制程或者低溫CVD制程中等離子體對OLED的封裝結(jié)構(gòu)造成損傷，以及低溫真空工藝的復(fù)雜性造成OLED器件層、封裝層、觸控層剝落，嚴(yán)重降低了產(chǎn)品良率以及增加了產(chǎn)品成本。

綜上所述，有必要提供可以提高產(chǎn)品良率以及降低產(chǎn)品成本的觸控顯示面板及其制作方法。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實(shí)施例提供觸控顯示面板及其制作方法，所述觸控面板包括位于觸控顯示面板顯示區(qū)的第一電極，采用感光銀漿制作所述第一電極；避免現(xiàn)有的觸控電極因采用普通金屬材料制備，必須經(jīng)過低溫真空工藝而帶來的成膜的膜質(zhì)特性差、對OLED的封裝結(jié)構(gòu)造成損傷以及OLED器件層、封裝層、觸控層剝落等一系列風(fēng)險，以解決因上述風(fēng)險造成的產(chǎn)品良率低、產(chǎn)品成本高的問題。

本申請實(shí)施例提供觸控顯示面板，所述觸控顯示面板包括顯示區(qū)，所述觸控顯示面板包括顯示面板和觸控面板，所述觸控面板包括：

第一電極，所述第一電極設(shè)于所述顯示區(qū)，所述第一電極設(shè)于所述顯示面板上，所述第一電極的組成材料包括感光銀漿材料。

在一實(shí)施例中，所述感光銀漿材料的組成材料包括多個銀顆粒，所述銀顆粒呈球體，所述銀顆粒的直徑不大于1微米，所述銀顆粒的組成材料包括銀的磷酸鹽。

在一實(shí)施例中，所述觸控面板還包括：

界面層，所述界面層至少設(shè)于所述顯示面板和所述第一電極之間，所述界面層的組成材料包括氧化硅或者無定形硅。

在一實(shí)施例中，所述觸控面板還包括：

第二電極，所述第二電極設(shè)于所述顯示區(qū)，所述第二電極設(shè)于所述第一電極遠(yuǎn)離所述顯示面板的一側(cè)，所述第二電極的組成材料和所述第一電極的組成材料相同。

在一實(shí)施例中，所述第二電極與所述第一電極相交設(shè)置，所述觸控面板還包括：

復(fù)合層，所述復(fù)合層設(shè)于所述第一電極和所述第二電極之間，所述復(fù)合層至少與所述第一電極和所述第二電極的相交處相對設(shè)置，所述復(fù)合層包括絕緣層，所述絕緣層的組成材料包括氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。

在一實(shí)施例中，所述復(fù)合層還包括第一界面層和第二界面層，所述第一界面層和所述第二界面層設(shè)于所述絕緣層兩側(cè)，所述第一界面層和所述第二界面層的組成材料包括氧化硅或者無定形硅。

在一實(shí)施例中，所述第一電極包括：

兩個第一電極部，所述兩個第一電極部和所述第二電極同層設(shè)置，所述兩個第一電極部設(shè)于所述第二電極兩側(cè)；

橋接部，所述橋接部與所述第一電極和所述第二電極的相交處相對設(shè)置，所述橋接部包括：