[發明專利]一種3D微/納米結構的構筑方法有效
| 申請號： | 202010544791.X | 申請日： | 2020-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN111646428B | 公開（公告）日： | 2023-03-10 |
| 發明（設計）人： | 楊光紅;賈彩虹 | 申請（專利權）人： | 河南大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 鄭州芝麻知識產權代理事務所(普通合伙) 41173 | 代理人： | 胡向陽 |
| 地址： | 475001*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 結構 構筑 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在基板上固定材料源，抽真空處理；
(2)聚焦電子束的焦點在上述步驟(1)的材料源表面0-100nm的距離處，加速電壓為1-30kV，工作距離3-20mm，電子束束斑1-50nm，形成包含有電子束焦點和表層原子的界面局域區；
(3)控制電子束的焦點按照設計的3D微/納米結構逐點移動，實現3D微/納米結構的構筑。
2.根據權利要求1所述一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，上述步驟(1)中材料源的材質為金屬單質、金屬原子和其他非金屬原子構成的化合物中的一種。
3.根據權利要求2所述一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，所述材料源為塊狀固體、薄膜、棒材、納米線組成的粉體、納米顆粒組成的粉體、納米帶組成的粉體中的一種。
4.根據權利要求1所述一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，上述步驟(1)的基板為導體或者半導體材質。
5.根據權利要求1所述一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，上述步驟(1)中抽真空至10-3-10-5Pa。
6.根據權利要求1所述一種3D微/納米結構的構筑方法，其特征在于，上述步驟(3)中結合位移平臺和聚焦掃描控制程序，控制電子束的焦點按設計的3D微/納米結構逐點移動。
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