[發明專利]一種石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 202010543751.3
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111675551B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 陳香萍;吳相福;田家利;鄧達琴;洪文晶;李海航;李江標;鄧聰秀
• 申請（專利權）人: 江西寧新新材料股份有限公司;廈門大學
• 主分類號: C04B41/88
• 分類號: C04B41/88
• 代理公司: 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101
• 代理人: 郭金華

1.一種石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將石墨置于浸洗液中進行表面浸洗20-40min，再用烘干備用；石墨烘干后再在雙氧水或高錳酸鉀溶液中進行浸泡處理再次烘干；

S2：配置電鍍液，電鍍液包含鎳鹽、碳化硅、表面活性劑、還原劑、溶劑以及pH調節劑；所述pH調節所用為硼酸或磷酸；所述電鍍液的pH為4.0-5.5；

S3：將步驟S1制備的石墨和步驟S2中制備的電鍍液接入電化學工作站，進行電化學沉積，在石墨表面得到鎳/碳化硅復合涂層；所述電化學沉積的沉積電壓為1.8-2.5V，電流為0.1-0.12A，時間為600-1200S。

2.根據權利要求1所述的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，所述浸洗液為去離子水、丙酮、乙醇中的一種或者幾種。

3.根據權利要求1所述的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，所述鎳鹽選自硫酸鎳、氯化鎳、氨基磺酸鎳、溴化鎳、氫氧化亞鎳、羰基鎳、硝酸鎳中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑選自十二烷基硫酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基磺酸鈉中的一種或者幾種。

5.根據權利要求1所述的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，所述還原劑選自檸檬酸、甲酸、稀硫酸中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層的制備方法，其特征在于，所述電鍍液中溶劑：鎳鹽：還原劑：碳化硅：表面活性劑＝50-100ml：5-15g：1.5-3g：0.3-0.8g：0.005-0.01g。

7.一種權利要求1至6任一項所述的方法制備的石墨表面電化學沉積鎳/碳化硅耐高溫復合涂層。