[發明專利]半導體工藝設備

有效

• 申請號: 202010535344.8
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111696897B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 陳佳偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發明提供一種半導體工藝設備，包括工藝腔室，工藝腔室中設置有用于承載襯底的基座、用于加熱基座的第一熱源組件，工藝腔室中還設置有第二熱源組件，第一熱源組件環繞第二熱源組件設置，第二熱源組件包括驅動機構和第二熱源，其中，第二熱源用于加熱基座；驅動機構與第二熱源連接，用于驅動第二熱源移動，以調節第二熱源加熱的基座的區域。本發明提供的半導體工藝設備能夠提高對基座溫度控制的靈活性，從而提高基座的溫度均勻性，進而提高襯底沉積層的電阻率值及電阻率均勻性，還可以提高熱源組件的使用壽命，降低使用成本。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種半導體工藝設備。

背景技術

目前，隨著半導體行業的發展，硅外延設備的工藝指標中，對于晶片(Wafer)沉積層的電阻率值及電阻率均勻性的要求越來越高。而在硅外延設備中，用于承載晶片的托盤在工藝中的受熱均勻性，會在一定程度上對晶片沉積層的電阻率值及電阻率均勻性造成影響。

在現有的硅外延設備中，通常會在用于承載晶片的托盤的上方和下方各設置一個加熱模塊。此種加熱模塊包括環形反射屏和多個紅外燈，多個紅外燈沿環形反射屏的周向間隔設置在環形反射屏上，多個紅外燈發出的光通過環形反射屏的反射及直射照射在托盤上，以對托盤進行加熱。多個紅外燈間隔的分為內區燈和外區燈，環形反射屏上加工有不同反射角度的多個凹槽，以將內區燈發出的光反射向托盤中心的圓形部分，將外區燈發出的光反射向托盤邊緣的環形部分，從而對整個托盤進行加熱。在工藝過程中，通過調節內區燈和外區燈的功率，實現對托盤的升溫控溫。

但是，由于凹槽的反射角度是固定的，在托盤上仍然會有反射光多和反射光少的區域，導致托盤無法全面積均勻受熱。并且，由于只能同時調節所有內區燈和/或所有的外區燈，使得無法對托盤上某單一溫度過高或過低的區域的溫度進行調節，而且，這樣還會造成內區燈和/或外區燈中某一紅外燈的功率達到滿負荷，降低紅外燈的使用壽命，增加使用成本。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種半導體工藝設備，其能夠提高對基座溫度控制的靈活性，從而提高基座的溫度均勻性，進而提高襯底沉積層的電阻率值及電阻率均勻性，還可以提高熱源組件的使用壽命，降低使用成本。

為實現本發明的目的而提供一種半導體工藝設備，包括工藝腔室，所述工藝腔室中設置有用于承載襯底的基座、用于加熱所述基座的第一熱源組件，所述工藝腔室中還設置有第二熱源組件，所述第一熱源組件環繞所述第二熱源組件設置，所述第二熱源組件包括驅動機構和第二熱源，其中，

所述第二熱源用于加熱所述基座；

所述驅動機構與所述第二熱源連接，用于驅動所述第二熱源移動，以調節所述第二熱源加熱的所述基座的區域。

優選的，所述驅動機構包括旋轉驅動源，所述旋轉驅動源與所述第二熱源連接，用于驅動所述第二熱源組件轉動，沿所述基座的徑向調節所述第二熱源加熱的所述基座的區域。

優選的，包括多個所述第二熱源組件，多個所述第二熱源組件沿所述基座的周向間隔分布。

優選的，所述第二熱源包括熱源主體和連接結構，所述熱源主體用于加熱所述基座，所述連接結構用于連接所述驅動機構與所述熱源主體。

優選的，所述熱源主體包括加熱燈、散熱片、連接頭，所述連接結構包括彈性夾套、緊固件、連接套筒，其中，

所述彈性夾套套設在所述連接頭上，所述緊固件穿設在所述彈性夾套上，用于調節所述彈性夾套的彈性收縮的程度，使所述彈性夾套夾緊所述連接頭，所述連接套筒的一端與所述彈性夾套連接，另一端套設在所述驅動機構的驅動軸上。

優選的，所述連接套筒與所述驅動軸螺紋配合連接；

所述連接結構還包括連接頂絲，用于固定連接所述連接套筒與所述驅動軸。