[發明專利]一種微濾膜及其制備方法、應用有效
| 申請號: | 202010535026.1 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN111531174B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 桂萬元;林均品;欒本利 | 申請(專利權)人: | 北京科技大學 |
| 主分類號: | B22F3/11 | 分類號: | B22F3/11;B22F3/10;B22F3/02;B22F3/24;C22C30/00;C22C38/06;C22C38/12;C23C16/06;B01D61/18;B01D61/14;B01D71/02;B01D69/02;B01D67/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濾膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種微濾膜的制備方法,其特征在于,具體步驟包括:
對預設的至少四種金屬粉末進行混合并壓制成型,以得到壓坯;
對所述壓坯進行多階段燒結處理,并控制燒結升溫速率處于預設的燒結升溫速率范圍內,得到微米級多孔支撐體,并在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構,以得到所述微濾膜;其中,在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構包括:所述多階段燒結處理完成后,采用化學氣相沉積工藝在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述對所述壓坯進行多階段燒結處理,并控制燒結升溫速率處于預設的燒結升溫速率范圍內,得到微米級多孔支撐體,包括:
對所述壓坯采用四階段~十二階段的真空燒結處理,并控制燒結升溫速率范圍為0.5℃/min~5℃/min,得到所述微米級多孔支撐體。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用化學氣相沉積工藝在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構,以得到所述微濾膜,包括:
將預設金屬在真空下加熱汽化,以對所述微米級多孔支撐體進行化學氣相沉積,在所述微米級多孔支撐體上構筑形成納米級三維網狀結構,得到所述微濾膜。
4.一種微濾膜的制備方法,其特征在于,具體步驟包括:
對預設的至少四種金屬粉末進行混合并壓制成型,以得到壓坯;
對所述壓坯進行多階段燒結處理,并控制燒結升溫速率處于預設的燒結升溫速率范圍內,得到微米級多孔支撐體,并在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構,以得到所述微濾膜;其中,在所述微米級多孔支撐體上構筑納米級三維網狀結構,以得到所述微濾膜,包括:
在所述多階段燒結處理的最后一個燒結階段或在所述多階段燒結處理完成后,向所述微米級多孔支撐體引入氧化氣體,降低燒結階段的真空度,以使得所述微米級多孔支撐體發生氧化反應,以在所述微米級多孔支撐體上原位構筑納米級三維網狀結構,得到所述微濾膜。
5.根據權利要求1至4任一項所述的方法,其特征在于,所述預設的至少四種金屬粉末包括Al以及Si、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Cs、Ba、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、Bi、Po、At中至少三者混合而成。
6.一種微濾膜,其特征在于,采用權利要求1至5任一項所述的制備方法制得。
7.一種微濾膜的應用,其特征在于,將權利要求6所述的微濾膜應用于常溫氣/固、常溫液/固、高溫氣/固和高溫液/固任一者的兩相分離中。
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