[發(fā)明專利]一種石墨烯薄膜襯底的制備方法及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010534433.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN111732071A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苗瑞霞;王少青;趙晨鶴;束體康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安郵電大學(xué)
• 主分類號(hào): B81B7/04
• 分類號(hào): B81B7/04;B81C1/00
• 代理公司: 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216
• 代理人: 李婷;國(guó)旭東

1.一種石墨烯薄膜襯底的制備方法，其特征在于，方法包括以下步驟：

步驟S1、對(duì)石英襯底進(jìn)行預(yù)處理；

步驟S2、將經(jīng)過(guò)預(yù)處理的石英襯底置于磁控濺射靶材底座上，采用磁控濺射法于石英襯底上形成SiO₂納米顆粒；

步驟S3、將經(jīng)磁控濺射處理后的石英襯底放入退火爐中，在空氣流動(dòng)的條件下經(jīng)退火處理即得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜襯底的制備方法，所述的預(yù)處理包括將襯底依次放入丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水中進(jìn)行超聲清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜襯底的制備方法，其特征在于，所述的石英襯底包括石英玻璃襯底、SiO₂襯底、柔性超薄玻璃襯底、浮法玻璃襯底和普通玻璃襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜襯底的制備方法，其特征在于，所述的磁控濺法的濺射功率為50～150W，磁控濺射時(shí)間為1～60min，氬氣流量為30～60sccm，氧氣流量為1～20sccm，磁控功率為50～150W，腔室壓強(qiáng)為0～10pa。

5.一種石墨烯薄膜，其特征在于，所述的石墨烯薄膜以權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的石墨烯薄膜襯底的制備方法制得的石墨烯薄膜襯底為襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜采用PECVD法于真空條件下制得。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述真空條件的真空度小于10^-4Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述PECVD法的參數(shù)設(shè)置包括：升溫速率10～30℃/min，氬氣流量50～100sccm，甲烷流量為2～50sccm，氫氣流量為0～40sccm，生長(zhǎng)時(shí)間為1～100min。