[發明專利]用于生長碳化硅晶錠的粉末以及碳化硅晶錠的制備方法

在審

• 申請號: 202010531612.9
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112210824A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 樸鐘輝;甄明玉;高上基;具甲烈;金政圭;沈鐘珉;張炳圭;崔正宇
• 申請（專利權）人: SKC株式會社
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36;C23C14/06;C23C14/24
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 魏彥

1.一種碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，包括：

準備步驟，將包含碳化硅顆粒的粉末裝入反應容器中，并將籽晶放置在所述反應容器的一個表面，及

生長步驟，使所述粉末升華以從所述籽晶生長碳化硅晶錠，

所述粉末的流動指數為5到35。

2.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述粉末的D50為10μm至800μm。

3.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

當通過施加8kPa的壓力壓縮所述粉末時，壓縮后的內摩擦角相對于壓縮前的內摩擦角的變化量為5％至18％。

4.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述碳化硅晶錠的表面凹坑為10K/cm2以下。

5.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述碳化硅晶錠的直徑為4英寸以上。

6.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述碳化硅晶錠的直徑為6英寸以上。

7.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述碳化硅晶錠是包含4H-SiC單晶的晶錠。

8.根據權利要求1所述的碳化硅晶錠的制備方法，其特征在于，

所述碳化硅晶錠具有凸起或平坦的表面。

9.一種碳化硅晶錠，其特征在于，

包含4H-SiC，

直徑為4英寸以上，

相對于(0001)平面具有4度的偏角的晶片的搖擺角為-1.5至+1.5度。

10.一種粉末，其特征在于，

當施加一定壓力時發生流動，

包含碳化硅顆粒，

流動指數為5到35。

11.根據權利要求10所述的粉末，其特征在于，

當通過施加8kPa的壓力壓縮所述粉末時，壓縮后的內摩擦角相對于壓縮前的內摩擦角的變化量為5％至18％。