[發明專利]集成電路電源過沖保護電路及保護方法

有效

• 申請號: 202010529690.5
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111697533B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 陳志卿
• 申請（專利權）人: 上海麥歌恩微電子股份有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20;H02H3/06;G01R19/165
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 王松

1.一種集成電路電源過沖保護電路，其特征在于，所述電源過沖保護電路包括：電源過沖檢測模塊、狀態鎖存器、喚醒延遲單元及保護開關；

所述電源過沖檢測模塊的輸出端連接狀態鎖存器的輸入端；所述喚醒延遲單元的輸入端連接狀態鎖存器的輸出端，所述喚醒延遲單元的輸出端連接狀態鎖存器的輸入端；所述保護開關的輸入端連接狀態鎖存器的輸出端；

所述電源過沖檢測模塊用以檢測電源上是否有突然升高的電壓，即電源過沖；

所述狀態鎖存器用以存儲設定狀態信息，所述狀態信息為正常狀態或報警狀態；

所述保護開關，用以接收所述狀態鎖存器的狀態信息，在所述狀態鎖存器存儲的狀態信息為正常狀態時，保護開關處于導通狀態；在所述狀態鎖存器存儲的狀態信息為報警狀態時，保護開關處于斷開狀態；

所述喚醒延遲單元，用以在所述狀態鎖存器存儲的狀態信息為報警狀態時，開始計時，當達到設定的延遲時間后，再次判斷電源過沖是否消退；若仍有電源過沖存在，則重新開始計時，直到電源過沖消退；

所述電源過沖檢測模塊包括第一電容、第一電阻；所述第一電容的第一端連接芯片供電端，第一電容的第二端連接第一電阻的第一端，第一電阻的第二端連接芯片接地端；

所述狀態鎖存器包括第一或非門、第二或非門；所述第一或非門的第一輸入端連接第一電容的第二端，第二或非門的輸出端連接第一或非門的第二輸入端，第一或非門的輸出端連接第二或非門的第一輸入端，第二或非門的第二輸入端連接喚醒延遲單元；

所述喚醒延遲單元包括第一MOS管、第二MOS管、第二電容、第二電阻；

所述第一或非門的輸出端連接第一MOS管的基極、第二MOS管的基極，第一MOS管的發射極連接芯片供電端，第一MOS管的集電極連接第二電阻的第一端；

所述第二MOS管的集電極連接第二或非門的第二輸入端、第二電容的第一端，第二MOS管的發射極連接芯片接地端，第二電容的第二端連接芯片接地端。

2.根據權利要求1所述的集成電路電源過沖保護電路，其特征在于：

所述保護開關包括反相器、第三MOS管、第四MOS管；

所述第一或非門的輸出端連接反相器的輸入端，反相器的輸出端分別連接第三MOS管的基極、第四MOS管的基極；第三MOS管的發射極連接芯片供電端，第四MOS管的發射極連接芯片接地端；第三MOS管的集電極、第四MOS管的集電極分別連接受保護的內部電源端。

3.根據權利要求2所述的集成電路電源過沖保護電路，其特征在于：

所述第一MOS管及第三MOS管為PMOS管；所述第二MOS管及第四MOS管為NMOS管。

4.一種權利要求1至3任一所述集成電路電源過沖保護電路的集成電路電源過沖保護方法，其特征在于，所述保護方法包括：

檢測電源上是否有突然升高的電壓，即電源過沖；若檢測電源的狀態正常，則狀態鎖存器將電源狀態設定為正常狀態；若檢測到電源過沖，則狀態鎖存器將電源狀態設定為報警狀態；

在所述狀態鎖存器存儲的狀態信息為正常狀態時，控制保護開關處于導通狀態；

在所述狀態鎖存器存儲的狀態信息為報警狀態時，控制保護開關處于斷開狀態，同時喚醒延遲單元開始計時，當達到設定的延遲時間后，再次判斷電源過沖是否消退；若仍有電源過沖存在，則重新開始計時，直到電源過沖消退；電源過程消退后，控制保護開關為導通狀態。