[發(fā)明專利]一種多級真空差分的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010529140.3
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111668087B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 費澤杰;王永天;劉洪濤;韓昌財;董常武;洪靜
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;H01J49/16
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 宋麗榮

1.一種多級真空差分的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，其包括：

用于產(chǎn)生帶電離子的電噴霧離子源；

用于去溶劑化的一級真空；

具有用于離子引導(dǎo)的第一四極桿的二級真空；

具有用于離子引導(dǎo)的第二四極桿的三級真空；

具有用于離子引導(dǎo)的八級桿的四級真空；

其中，帶電離子在一級真空中被去溶劑化后通過第一和第二四極桿及八級桿引導(dǎo)進入后續(xù)的分析質(zhì)譜的高真空環(huán)境中，

一級真空和二級真空通過第一skimmer連通，二級真空和三級真空通過第二skimmer連通，三級真空和四級真空通過波紋管和第三skimmer連通以使得電噴霧離子源噴出的中性分子液滴被第三skimmer阻擋而無法進入四級真空。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，帶電離子通過第三skimmer的入射方向和第三skimmer的開孔軸向具有角度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，第一、第二和第三skimmer的直徑分別為1mm-3mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，三級真空和四級真空之間通過一個可插入閘板閥分隔真空，用以在清洗一級真空、二級真空和三級真空時保護四級真空和分析質(zhì)譜的高真空環(huán)境。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，一級真空包括真空法蘭、去溶劑化加熱模塊和機械泵，其中，真空法蘭為限定一級真空的一級腔體，去溶劑化加熱模塊設(shè)置于真空法蘭的內(nèi)部并與電噴霧離子源連接，機械泵與一級腔體連通以形成一級真空環(huán)境。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，二級真空包括二級腔體和羅茨泵，其中，二級腔體與一級腔體通過第一skimmer連通，第一四極桿設(shè)置于二級腔體的內(nèi)部，羅茨泵與二級腔體連通以形成二級真空環(huán)境。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，三級真空包括三級腔體和第一分子泵，其中，三級腔體與二級腔體通過第二skimmer連通，第二四極桿設(shè)置于三級腔體的內(nèi)部，第一分子泵與三級腔體連通以形成三級真空環(huán)境。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，二級腔體和三級腔體為一體成型的異形腔體。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，二級腔體朝向三級腔體中突出。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電噴霧離子源引導(dǎo)裝置，其特征在于，四級真空包括四級腔體和第二分子泵，其中，四級腔體與三級腔體通過第三skimmer連通，八極桿設(shè)置于四級腔體的內(nèi)部，第二分子泵與四級腔體連通以形成四級真空環(huán)境。