[發(fā)明專(zhuān)利]執(zhí)行校準(zhǔn)操作的半導(dǎo)體裝置和采用它的半導(dǎo)體系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010528056.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112562768A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜智孝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/02;G11C29/50
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

校準(zhǔn)電路，其包括比較器，所述比較器被配置為比較校準(zhǔn)電壓和參考電壓以生成比較信號(hào)，并且所述校準(zhǔn)電路被配置為：當(dāng)將所述比較器設(shè)置為具有正偏移時(shí)基于所述比較信號(hào)來(lái)生成第一校準(zhǔn)碼，且當(dāng)所述比較器設(shè)置為具有與所述正偏移互補(bǔ)的負(fù)偏移時(shí)基于所述比較信號(hào)來(lái)生成第二校準(zhǔn)碼；以及

主驅(qū)動(dòng)器，其被配置為基于所述第一校準(zhǔn)碼和所述第二校準(zhǔn)碼來(lái)設(shè)置所述主驅(qū)動(dòng)器的電阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述比較器包括：

第一輸入節(jié)點(diǎn)；

第二輸入節(jié)點(diǎn)；

第三輸入節(jié)點(diǎn)；

第四輸入節(jié)點(diǎn)；

第一差分輸出節(jié)點(diǎn)，其被配置為通過(guò)對(duì)輸入至所述第一輸入節(jié)點(diǎn)和所述第二輸入節(jié)點(diǎn)的信號(hào)進(jìn)行差分放大來(lái)輸出第一放大信號(hào)對(duì)；以及

第二差分輸出節(jié)點(diǎn)，其被配置為通過(guò)對(duì)輸入至所述第三輸入節(jié)點(diǎn)和所述第四輸入節(jié)點(diǎn)的信號(hào)進(jìn)行差分放大來(lái)輸出第二放大信號(hào)對(duì)，

其中，當(dāng)偏移設(shè)置信號(hào)具有第一邏輯電平時(shí)，所述比較器被配置為經(jīng)由所述第一輸入節(jié)點(diǎn)和所述第四輸入節(jié)點(diǎn)來(lái)接收所述校準(zhǔn)電壓，經(jīng)由所述第二輸入節(jié)點(diǎn)和所述第三輸入節(jié)點(diǎn)來(lái)接收所述參考電壓，以及基于所述第一放大信號(hào)對(duì)中的一個(gè)和所述第二放大信號(hào)對(duì)中的一個(gè)來(lái)生成所述比較信號(hào)，以及

其中，當(dāng)所述偏移設(shè)置信號(hào)具有第二邏輯電平時(shí)，所述比較器被配置為經(jīng)由所述第一輸入節(jié)點(diǎn)和所述第四輸入節(jié)點(diǎn)來(lái)接收所述參考電壓，經(jīng)由所述第二輸入節(jié)點(diǎn)和所述第三輸入節(jié)點(diǎn)來(lái)接收所述校準(zhǔn)電壓，以及基于所述第一放大信號(hào)對(duì)中的另一個(gè)和所述第二放大信號(hào)對(duì)中的另一個(gè)來(lái)生成所述比較信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述校準(zhǔn)電路包括：

參考電阻支路，其耦接至外部參考電阻并且被配置為基于電阻設(shè)置碼生成所述校準(zhǔn)電壓；

碼生成器，其被配置為基于所述比較信號(hào)生成所述電阻設(shè)置碼；以及

寄存器，其被配置為當(dāng)所述比較器設(shè)置為具有所述正偏移時(shí)將所述電阻設(shè)置碼存儲(chǔ)為所述第一校準(zhǔn)碼，并且當(dāng)所述比較器設(shè)置為具有所述負(fù)偏移時(shí)將所述電阻設(shè)置碼存儲(chǔ)為所述第二校準(zhǔn)碼。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述寄存器被配置為：

當(dāng)所述偏移設(shè)置信號(hào)具有第一邏輯電平時(shí)，將所述電阻設(shè)置碼存儲(chǔ)為所述第一校準(zhǔn)碼；以及

當(dāng)所述偏移設(shè)置信號(hào)具有第二邏輯電平時(shí)，將所述電阻設(shè)置碼存儲(chǔ)為所述第二校準(zhǔn)碼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

其中，所述主驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器包括第一晶體管和與所述第一晶體管并聯(lián)耦接的第二晶體管，

其中，基于所述第一校準(zhǔn)碼來(lái)設(shè)置所述多個(gè)驅(qū)動(dòng)器中的每個(gè)第一晶體管的電阻值，以及

其中，基于所述第二校準(zhǔn)碼來(lái)設(shè)置所述多個(gè)驅(qū)動(dòng)器中的每個(gè)第二晶體管的電阻值。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

校準(zhǔn)電路，其包括：第一比較器，所述第一比較器被配置為比較第一校準(zhǔn)電壓和第一參考電壓以生成第一比較信號(hào)；以及第二比較器，所述第二比較器被配置為比較第二校準(zhǔn)電壓和第二參考電壓以生成第二比較信號(hào)，其中，所述校準(zhǔn)電路被配置為：當(dāng)所述第一比較器和所述第二比較器設(shè)置為具有正偏移時(shí)，基于所述第一比較信號(hào)來(lái)生成第一上拉校準(zhǔn)碼并基于所述第二比較信號(hào)來(lái)生成第一下拉校準(zhǔn)碼，并且當(dāng)所述第一比較器和所述第二比較器設(shè)置為具有與所述正偏移互補(bǔ)的負(fù)偏移時(shí)，基于所述第一比較信號(hào)來(lái)生成第二上拉校準(zhǔn)碼并基于所述第二比較信號(hào)來(lái)生成第二下拉校準(zhǔn)碼；以及

主驅(qū)動(dòng)器，其被配置為基于所述第一上拉校準(zhǔn)碼和所述第二上拉校準(zhǔn)碼來(lái)設(shè)置上拉電阻值，并且基于所述第一下拉校準(zhǔn)碼和所述第二下拉校準(zhǔn)碼來(lái)設(shè)置下拉電阻值。