[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子設備

在審

• 申請號: 202010526233.0
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN113782595A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 郭炳容;葉甜春;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件，其特征在于，包括襯底以及形成在襯底上的溝槽，沿所述溝槽的深度方向，所述溝槽的寬度單位變化量小于或等于預設閾值。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽為金屬輔助化學蝕刻的溝槽。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為埋溝式半導體器件。

4.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成溝槽，沿所述溝槽的深度方向，所述溝槽的寬度單位變化量小于或等于預設閾值。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成溝槽，包括：

采用可控的刻蝕方式在所述襯底上形成所述溝槽。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述可控的刻蝕方式包括金屬輔助化學蝕刻方式。

7.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述采用可控的刻蝕方式在所述襯底上形成所述溝槽，包括：

在所述襯底的表面形成具有催化活性的金屬掩膜層；

在所述金屬掩膜層的掩膜和催化下，采用濕法刻蝕方式在所述襯底上形成所述溝槽。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬掩膜層的掩膜下，采用濕法刻蝕方式在所述襯底上形成所述溝槽后，所述半導體器件的制作方法還包括：

去除所述金屬掩膜層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述去除所述金屬掩膜層包括：

采用濕法刻蝕或干法刻蝕去除所述金屬掩膜層。

10.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，具有催化活性的金屬掩膜層是金、銀、鉑、氮化鈦、銅中的任意一種。

11.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1～3任一項所述的半導體器件。

12.根據權利要求11所述的電子設備，其特征在于，所述電子設備是終端設備或通信設備。