[發明專利]可改變結構的等離子體源線圈及其調整方法在審
| 申請號： | 202010519821.1 | 申請日： | 2020-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN113782409A | 公開（公告）日： | 2021-12-10 |
| 發明（設計）人： | 催佑熒;李相雨 | 申請（專利權）人： | 自適應等離子體技術公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H05H1/46;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 崔龍鉉;太香花 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改變 結構 等離子體 線圈 及其 調整 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種可改變結構的等離子體源線圈，其特征在于，包括基于中心部位(CP)以螺旋形狀延伸的多個線圈分支(11_1至12_M)，并且調節至少一個線圈分支(11_1至12_M)的延伸方向或延伸方向上的傾斜度。
2.根據權利要求1所述的可改變結構的等離子體源線圈，其特征在于，還包括調整導件(13_1至13_L)，其沿著至少一個線圈分支(11_1至12_M)的延伸方向形成。
3.根據權利要求1所述的可改變結構的等離子體源線圈，其特征在于，通過向順時針方向或逆時針方向旋轉至少一個線圈分支(11_1至12_M)的方式調節延伸方向或傾斜度。
4.根據權利要求1所述的可改變結構的等離子體源線圈，其特征在于，通過調節延伸方向或傾斜度來調節至少一個相鄰的線圈分支(11_1至12_M)之間的分離間距。
5.一種等離子體源線圈的調整方法，包括以下步驟：
設置等離子體源線圈；
通過等離子體源線圈誘導產生等離子體，以檢測預設的平面的等離子體密度，或者在誘導產生等離子體的平面的不同位置獲取等離子體密度的密度數據；以及
基于檢測的等離子體密度或密度數據，調節形成等離子體源線圈的線圈分支的延伸方向或傾斜度。
6.根據權利要求5所述的等離子體源線圈的調整方法，其特征在于，預設的平面為固定在工藝腔室中心的晶片表面。
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