[發明專利]砂漿供應方法、砂漿供應設備及晶棒切割系統

有效

• 申請號: 202010519065.2
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111805775B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 陳建銘;盧健平
• 申請（專利權）人: 徐州鑫晶半導體科技有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04;B28D7/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 歐陽高鳳

本發明公開了一種砂漿供應方法、砂漿供應設備及晶棒切割系統，砂漿供應設備包括第一混合裝置、第二混合裝置和成品砂漿混合供應裝置，成品砂漿混合供應裝置用于向晶棒切割設備供應成品砂漿，砂漿供應方法包括：依切割效能需求設置所述設定比例；控制第一混合裝置向成品砂漿混合供應裝置供應第一體積的全新砂漿，且控制第二混合裝置向成品砂漿混合供應裝置供應第二體積的回收混合砂漿，第一體積和第二體積的比為設定比例。根據本發明實施例的砂漿供應方法，可以依切割效能需求設置調整全新砂漿和回收混合砂漿的混合比例，可以提高晶棒切割的穩定性，從而可以使得切割得到的晶片的翹曲度較佳。

技術領域

本發明涉及晶棒切割技術領域，尤其是涉及一種砂漿供應方法、砂漿供應設備及晶棒切割系統。

背景技術

高純度的晶體硅是制備電子元件和太陽能電池的主要原料，是重要的電子信息材料。在晶體硅生產的過程中，需要將晶棒切割成晶片，在切割晶棒的過程中，需要使用砂漿。為了降低生產成本以及提高對資源的利用率，通常對廢砂漿進行回收利用，將回收后的砂漿與新砂漿混合用來切割。

然而，相關技術中的用于晶棒切割的砂漿供應設備，在切割晶棒的過程中，由于砂漿供應不合理，導致切割穩定性較差，得到的晶片的翹曲度不佳。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種砂漿供應方法，該砂漿供應方法可以依切割效能需求設置調整全新砂漿和回收混合砂漿的混合比例，可以有效提高晶棒切割的穩定性，從而可以使得切割得到的晶片的翹曲度較佳。

本發明還提出了一種利用上述砂漿供應方法工作的砂漿供應設備。

本發明還提出了一種具有上述砂漿供應設備的晶棒切割系統。

根據本發明第一方面實施例的晶棒切割系統的砂漿供應方法，所述晶棒切割系統包括晶棒切割設備和砂漿供應設備，所述砂漿供應設備包括第一混合裝置、第二混合裝置和成品砂漿混合供應裝置，所述成品砂漿混合供應裝置用于向所述晶棒切割設備供應成品砂漿，所述砂漿供應方法包括：依切割效能需求設置所述設定比例；控制所述第一混合裝置向所述成品砂漿混合供應裝置供應第一體積的全新砂漿，且控制所述第二混合裝置向所述成品砂漿混合供應裝置供應第二體積的回收混合砂漿，所述第一體積和所述第二體積的比為所述設定比例。

根據本發明的晶棒切割系統的砂漿供應方法，利用上述的砂漿供應設備對晶棒切割設備供應砂漿，在供應砂漿的過程中，可以依切割效能需求設置全新砂漿和回收混合砂漿的設定比例，從而可以調整向晶棒切割設備供應的砂漿的切割能力，可以有效提高晶棒切割的穩定性，從而可以使得切割得到的晶片的翹曲度較佳。

根據本發明的一些實施例，根據晶棒的長度調整所述設定比例。

可選地，所述設定比例的值與所述晶棒的長度呈正相關。

根據本發明的一些實施例，根據所述晶棒的切割面積實時調整所述設定比例。

可選地，所述設定比例的值與所述晶棒的切割面積呈正相關。

進一步地，所述第一體積V₁滿足：V₁＝A/D*V_S，所述第二體積V₂滿足：V₂＝V_S-V₁，所述A＝((D/2)^2-(D/2-X)^2)^0.5*2，其中所述D為所述晶棒的直徑，所述X為切割位置，所述V_S為所述X位于晶棒的最大切割面積位置時設定的砂漿流量。