[發明專利]包括空氣間隔件的半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010517877.3
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112086457A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 金根楠;全辰桓;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了一種半導體裝置，其包括：包括溝槽的襯底。第一導電圖案設置在溝槽內。第一導電圖案具有比溝槽的寬度小的寬度。第一間隔件沿著第一導電圖案的側表面的至少一部分和溝槽延伸。第二間隔件至少部分地填充與第一間隔件相鄰的溝槽。提供了空氣間隔件，其包括在第一間隔件和第二間隔件之間的第一部分，以及設置在第二間隔件和第一部分上的第二部分?？諝忾g隔件的第二部分的寬度大于空氣間隔件的第一部分的寬度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月14日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0070413的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明構思涉及一種半導體裝置及其制造方法，更具體地講，涉及一種包括空氣間隔件的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

隨著半導體裝置的集成度不斷提高，分離的電路圖案被進一步小型化以在相同的面積上實現更多的半導體裝置，從而增加密度。

隨著半導體存儲器裝置集成度提高，寄生電容和泄漏電流可能越發使性能退化。

發明內容

根據本發明構思的示例性實施例，提供一種包括具有溝槽的襯底的半導體裝置。第一導電圖案設置在溝槽內。第一導電圖案具有比溝槽的寬度更小的寬度。第一間隔件沿著第一導電圖案的側表面的至少一部分和溝槽延伸。第二間隔件至少部分地填充與第一間隔件相鄰的溝槽。提供空氣間隔件，其包括位于第一間隔件和第二間隔件之間的第一部分，以及設置在第二間隔件和第一部分上的第二部分?？諝忾g隔件的第二部分的寬度大于空氣間隔件的第一部分的寬度。

根據本發明構思的示例性實施例，提供一種包括具有溝槽的襯底的半導體裝置。導電圖案設置在溝槽內。導電圖案具有比溝槽的寬度更小的寬度。第一間隔件沿著導電圖案的側表面的至少一部分和溝槽延伸。第二間隔件至少部分地填充溝槽并且設置在第一間隔件上。提供空氣間隔件，其包括位于第一間隔件和第二間隔件之間的第一部分，以及設置在第二間隔件和第一部分上的第二部分。第一間隔件包括位于導電圖案和空氣間隔件的第一部分之間的下間隔件，以及位于導電圖案和空氣間隔件的第二部分之間的上間隔件。第一間隔件的上間隔件的寬度小于第一間隔件的下間隔件的寬度。

根據本發明構思的示例性實施例，提供一種包括具有溝槽的襯底的半導體裝置。導電圖案設置在溝槽內。導電圖案具有比溝槽的寬度更小的寬度。第一間隔件沿著導電圖案的側表面的至少一部分和溝槽延伸。空氣間隔件通過第一間隔件從導電圖案位移，空氣間隔件沿著第一間隔件的至少一部分延伸?？諝忾g隔件在橫截面中具有T形形狀，并且空氣間隔件的一部分形成在溝槽內。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本發明構思的示例性實施例，本發明構思的上述和其它特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據本發明構思的示例性實施例的半導體裝置的平面圖；

圖2是根據本發明構思的示例性實施例的沿圖1的線A-A'截取的截面圖；

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出根據本發明構思的示例性實施例的圖2的R1區域的各種放大圖；

圖4是根據本發明構思的示例性實施例的沿圖1的線B-B'截取的截面圖；以及

圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18、圖19和圖20是示出根據本發明構思的示例性實施例的制造半導體裝置的方法的各階段的截面圖。

具體實施方式

圖1是根據本發明構思的示例性實施例的半導體裝置的平面圖。