[發明專利]包括空氣間隔件的半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010517877.3
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112086457A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 金根楠;全辰桓;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括溝槽；

第一導電圖案，其設置在所述溝槽內，所述第一導電圖案的寬度小于所述溝槽的寬度；

第一間隔件，其沿著所述第一導電圖案的側表面的至少一部分以及所述溝槽延伸；

第二間隔件，其至少部分地填充與所述第一間隔件相鄰的所述溝槽；以及

空氣間隔件，其包括位于所述第一間隔件和所述第二間隔件之間的第一部分，以及設置在所述第二間隔件和所述第一部分上的第二部分，

其中，所述空氣間隔件的所述第二部分的寬度大于所述空氣間隔件的所述第一部分的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一間隔件包括位于所述第一導電圖案與所述空氣間隔件的所述第一部分之間的下間隔件，以及位于所述第一導電圖案與所述空氣間隔件的所述第二部分之間的上間隔件，

其中，所述第一間隔件的所述上間隔件的寬度小于所述第一間隔件的所述下間隔件的寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一間隔件的所述上間隔件的寬度是或更小。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述空氣間隔件的所述第一部分的寬度是或更大。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括第三間隔件，所述第三間隔件通過所述空氣間隔件的所述第二部分與所述第一間隔件間隔開。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述第二間隔件的與所述第一間隔件相鄰的側表面比所述第三間隔件的與所述第一間隔件相鄰的側表面更靠近所述第一導電圖案。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，在朝向所述襯底的方向上，所述第三間隔件的下表面低于所述空氣間隔件的所述第二部分的下表面。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述襯底包括有源區和限定所述有源區的裝置隔離膜，并且

其中，所述第一導電圖案與所述有源區接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，還包括第二導電圖案，所述第二導電圖案穿越所述有源區并在所述襯底內沿第一方向延伸，

其中，所述第一導電圖案穿越所述有源區并且在與所述第一方向相交的第二方向上延伸。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一間隔件和所述第二間隔件包括氮化硅。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

接觸件結構，其與所述襯底接觸，并且通過所述第一間隔件、所述空氣間隔件、和所述第二間隔件與所述第一導電圖案間隔開；和

電容器結構，其與所述接觸件結構接觸。

12.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括溝槽；

導電圖案，其設置在所述溝槽內，所述導電圖案的寬度小于所述溝槽的寬度；

第一間隔件，其沿著所述導電圖案的側表面的至少一部分以及所述溝槽延伸；

第二間隔件，其至少部分地填充所述溝槽并且設置在所述第一間隔件上；以及

空氣間隔件，其包括位于所述第一間隔件和所述第二間隔件之間的第一部分，以及設置在所述第二間隔件和所述第一部分上的第二部分，

其中，所述第一間隔件包括位于所述導電圖案和所述空氣間隔件的所述第一部分之間的下間隔件，以及位于所述導電圖案和所述空氣間隔件的所述第二部分之間的上間隔件，并且

其中，所述第一間隔件的所述上間隔件的寬度小于所述第一間隔件的所述下間隔件的寬度。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述空氣間隔件的所述第二部分的寬度大于所述空氣間隔件的所述第一部分的寬度。