[發(fā)明專利]濺射鍍膜設(shè)備及其電極裝置和鍍膜方法

在審

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• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN113774342A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宗堅
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.用于一濺射鍍膜設(shè)備的電極裝置，其中所述濺射鍍膜設(shè)備適用于在基材表面鍍膜，其中所述濺射鍍膜設(shè)備包括一用于容置基材與靶材的反應(yīng)腔體，其特征在于，其中所述電極裝置適于安裝于該反應(yīng)腔體，其中所述電極裝置包括：

至少一射頻電源，具有預(yù)設(shè)的頻率；

至少一射頻驅(qū)動電極，其連接于所述射頻電源的輸出端，其中該靶材適于安裝于所述射頻驅(qū)動電極，其中該基材面向該靶材且相距一定的距離，并形成一濺射空間；以及

至少一供磁元件，其中所述供磁元件被設(shè)置于在臨近該靶材的區(qū)域提供至少部分平行于該靶材表面的磁場的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極裝置，其中所述磁場的磁感應(yīng)強度與所述射頻電源的頻率之間滿足電子諧振關(guān)系。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極裝置，其中所述磁場的磁感應(yīng)強度B(Gs)與所述射頻電源的頻率f(MHz)之間滿足電子回旋共振關(guān)系：B＝0.357f。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電極裝置，其中所述射頻電源的頻率f的范圍為10-300MHz。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的電極裝置，其中所述射頻驅(qū)動電極為平板形結(jié)構(gòu)，其中所述磁場位于所述射頻驅(qū)動電極放電的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的電極裝置，其中所述射頻驅(qū)動電極為柱形或筒形結(jié)構(gòu)，該靶材環(huán)繞于所述射頻驅(qū)動電極，其中所述磁場環(huán)繞于所述射頻驅(qū)動電極的外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的電極裝置，其中所述供磁元件位于所述濺射空間的兩端，在兩端的所述供磁元件之間產(chǎn)生所述磁場。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電極裝置，其中所述供磁元件為永磁鐵，兩個所述供磁元件分別位于所述濺射空間的兩端，其中兩端的所述供磁元件的南極與北極相對。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極裝置，其中兩個所述永磁鐵分別安裝于該靶材的兩端。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電極裝置，其中所述供磁元件為電磁線圈，其中所述電磁線圈位于所述濺射空間的兩端，且所述電磁線圈的軸線與所述射頻驅(qū)動電極平行。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極裝置，其中所述電磁線圈為扁線圈，其中較長邊對應(yīng)于所述射頻驅(qū)動電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極裝置，其中所述電磁線圈的的極性交替變化。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極裝置，其中所述電磁線圈同軸安裝于該靶材的兩端。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極裝置，所述供磁元件進一步包括一增磁元件，其中所述增磁元件被安裝于所述電磁線圈的內(nèi)部。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極裝置，進一步包括一旋轉(zhuǎn)裝置，其中所述旋轉(zhuǎn)裝置被設(shè)置于使所述供磁元件與該靶材繞該靶材的軸線相對旋轉(zhuǎn)的位置。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的電極裝置，其中所述供磁元件為永磁鐵，其中多個所述永磁鐵分別安裝于所述射頻驅(qū)動電極的與該靶材相背的一側(cè)，其中相鄰且相距一定間距的兩所述永磁鐵的靠近所述射頻驅(qū)動電極的一端的極性相反。

17.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的電極裝置，其中所述供磁元件為永磁鐵，其中多個所述永磁鐵被南極與南極、北極與北極相接地安裝于兩所述射頻驅(qū)動電極之間，其中該靶材被安裝于所述射頻驅(qū)動電極的外側(cè)。