[發(fā)明專利]一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010514934.2 | 申請日： | 2020-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN111580193A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王林;李菲;李延凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 華天慧創(chuàng)科技(西安)有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/11 | 分類號： | G02B1/11;G02B1/10;C23C14/58;C23C14/22;C23C14/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 姚詠華 |
| 地址： | 710018 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 超薄 鍍膜 光學(xué) 及其 制備 方法 | ||
1.一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓，其特征在于，包括一個(gè)超薄光學(xué)晶圓和鍍制在超薄光學(xué)晶圓兩個(gè)表面上的光學(xué)薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓，其特征在于，所述的光學(xué)薄膜為IR截止膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓，其特征在于，所述的超薄鍍膜光學(xué)晶圓在380nm～630nm的可見光波段內(nèi)平均透過率≥90％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓，其特征在于，所述的超薄鍍膜光學(xué)晶圓在650nm～1200nm的可見光和近紅外波段內(nèi)平均透過率≤0.01％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓，其特征在于，所述光學(xué)薄膜在超薄光學(xué)晶圓兩個(gè)表面的厚度差在1um以內(nèi)。
6.一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓的制備方法，其特征在于，在超薄光學(xué)晶圓的兩個(gè)表面鍍制一層或若干層光學(xué)薄膜，得到超薄鍍膜光學(xué)晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓的制備方法，其特征在于，先在超薄光學(xué)晶圓的一個(gè)表面鍍制一層或若干層光學(xué)薄膜，鍍制完成后清洗或者在真空環(huán)境下翻轉(zhuǎn)，之后在超薄光學(xué)晶圓的另一個(gè)表面鍍制一層或若干層光學(xué)薄膜，得到超薄鍍膜光學(xué)晶圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓的制備方法，其特征在于，在超薄光學(xué)晶圓的兩個(gè)表面同時(shí)開始鍍制光學(xué)薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓的制備方法，其特征在于，在超薄光學(xué)晶圓的兩個(gè)表面鍍制光學(xué)薄膜后，光學(xué)薄膜在超薄光學(xué)晶圓兩個(gè)表面的厚度差在1um以內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超薄鍍膜光學(xué)晶圓的制備方法，其特征在于，在超薄光學(xué)晶圓的兩個(gè)表面鍍制10～100層光學(xué)薄膜。
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