[發明專利]除去負性光刻膠的方法

有效

• 申請號: 201310301268.4
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103425000A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: P·J·奇可洛;B·D·阿莫斯;S·麥卡蒙
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

技術領域

本申請基于35U.S.C.§119(e)要求于2012年5月24日申請的美國臨時申請61/651,340的優先權，將其全部內容引入本文作為參考。

本發明涉及從基體上除去聚合的負性光刻膠的方法。更詳細地，本發明涉及低溫時從基體上除去聚合的負性光刻膠，和使用改良的水基堿性溶液提高剝離效率。

背景技術

暴露于活化輻射的負性光刻膠在光活性化合物和光刻膠組合物的聚合劑之間反應而聚合或交聯。因此暴露的涂層部分比未曝露的部分在顯影劑溶液中較不可溶。對于正性光刻膠，暴露部分更易溶于顯影劑溶液，而未暴露部分保持比較少的顯影劑可溶性。

負性光刻膠，比如干膜光刻膠，可以是一級(primary)光成像抗蝕劑或二級(secondary)光成像抗蝕劑。一級光刻膠常用于在基體上形成暫時性涂層。二級光刻膠是可硬化的和可形成永久層，例如焊料掩膜。負性光刻膠具有各種所需的性能條件比如抗蝕性、耐熱性和粘合性。

干膜光刻膠包括至少一種樹脂粘合劑、一種交聯單體或低聚物和一種光引發劑。多種聚合粘合劑可以用于干膜光刻膠。這種聚合粘合劑可以包括，作為聚合成分的一種或多種的酸官能單體比如丙烯酸或甲基丙烯酸。聚合的粘合劑占據光刻膠的空間，被動地與交聯單體或低聚物連接。在暴露于光時，光引發劑引發交聯單體或低聚物之間的交聯反應。包含于光刻膠的其他添加劑是解條紋劑(anti-striation)、增塑劑、速度增強劑、表面活性劑、填料和染料。

負性干膜光刻膠可以層疊到基體上。這種干膜光刻膠特別適合在印刷電路板的制造中使用。很多一級干膜光刻膠的問題是，使用傳統的堿性水剝離溶液例如3％氫氧化鈉溶液，很難將它們從鍍金屬的電路板上剝落。如果光刻膠沒有完全地剝落和除去，可能導致破損的金屬電路線并引起電路板的短路。

許多廠商使用基于有機或包含有機溶劑的堿性剝離溶液來促進剝落，并產生比水基剝離劑更小的剝離顆粒?；谟袡C的剝離劑也已經被使用了很多年，因為它們可以比水基剝離劑更快地除去聚合的光刻膠。去除速率越快，生產過程越高效。對于基于有機的剝離劑，剝落溫度典型地在55℃到60℃的范圍。

雖然基于有機和包含有機溶劑的堿性剝離劑是優于水基剝離劑，因為它們全部更好的剝落性能，但這種剝離劑相對于堿性水基剝離劑是昂貴的?；谟袡C的剝離劑和包含有機溶劑的剝離劑比水基堿性剝離劑包括更多腐蝕性的添加劑，比如乙二胺和乙二醇單丁基醚。這些添加劑本身對工人和環境是有毒的，并且難以對廢棄物進行處置?；谟袡C的和包含有機溶劑的剝離劑典型地包括高濃度的揮發性有機化合物(VOC)。VOC是在普通室溫情形下具有高蒸氣壓的有機化學品。它們的高蒸氣壓由低沸點引起，所述低沸點導致化合物從液態或固態蒸發或升華而產生大量分子，并進入周圍空氣中。許多VOC對人體健康有危險，并對環境造成損害。因此，對使用水基堿性溶液從基體上除去聚合的負性光刻膠的方法有進行改善的必要。

發明內容

本發明提供一種方法，包括提供包含聚合的負性光刻膠的基體；和用含有氫氧化銨的水基堿性溶液與包括聚合的負性光刻膠的基體相接觸來從所述基體上除去聚合的負性光刻膠。

所述方法在更低溫度下比許多傳統的去除法或剝離法，能從基體中快速除去基本上全部的聚合的負性光刻膠。較低的溫度減少了蒸發損失，因此延長了水基堿性剝離溶液的浴液壽命。剝落的聚合的負性光刻膠形成不溶于水的、無粘合性的粒子，能沉淀到浴液底部并通過傳統設備很容易地除去。所述方法還能使工人控制剝落的光刻膠的粒度。如此，減少了基體污染的概率和最終制品的缺陷。這些特性降低了制品的生產成本，并使這種負性光刻膠易于使用。另外，所述方法已經減少了VOC，因此在被用來除去聚合的負性光刻膠時，比許多傳統的剝離法對環境更友好。

附圖說明

圖1是對于聚合的干膜光刻膠用10體積％的堿性溶液剝離時，剝離時間對華氏溫度的圖表。

圖2是在四個不同的剝離溫度時聚合的干膜光刻膠已經用10體積％的堿性溶液部分剝離的四個銅錠的照片。

圖3是對于聚合的干膜光刻膠用5體積％(％bv)和10體積％的堿性溶液剝離時，剝離時間對華氏溫度的圖表。

圖4是在四個不同的剝離溫度時聚合的干膜光刻膠已經用5體積％的堿性溶液剝離的四個銅錠的照片。

具體實施方式