[發(fā)明專利]一種基于結(jié)構(gòu)單元尺寸差異的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010496000.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111951662B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛建材;周張凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號(hào): G09F3/02
• 分類號(hào): G09F3/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 姚招泉

1.一種基于結(jié)構(gòu)單元尺寸差異的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括從下到上層疊設(shè)置的襯底和金屬反射層，所述金屬反射層上設(shè)有若干結(jié)構(gòu)單元，所述結(jié)構(gòu)單元包括設(shè)置在金屬反射層上的介質(zhì)層和覆蓋所述介質(zhì)層上表面的金屬顆粒半連續(xù)膜；每一個(gè)所述結(jié)構(gòu)單元設(shè)有一個(gè)沿垂直于金屬反射層的方向貫穿介質(zhì)層和金屬顆粒半連續(xù)膜的孔洞；定義所述孔洞的孔徑為孔洞所屬結(jié)構(gòu)單元的特征尺寸；任意兩個(gè)相鄰的結(jié)構(gòu)單元的孔洞的中心的距離大于其中任意一個(gè)所述結(jié)構(gòu)單元的特征尺寸，且小于400nm；任意兩個(gè)所述結(jié)構(gòu)單元的形狀相同；

所述結(jié)構(gòu)單元包括隱藏信息單元和鄰近單元，所述隱藏信息單元與鄰近單元的特征尺寸之差的絕對(duì)值為0～20nm，特征尺寸之差的絕對(duì)值不為0；

所述結(jié)構(gòu)單元還包括用于形成偽裝信息的偽裝單元，所述偽裝單元與隱藏信息單元的特征尺寸之差的絕對(duì)值大于20nm；

利用窄帶光源或單色光源照射所述物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，提取出隱藏信息；所述窄帶光源的帶寬小于等于30nm；所述單色光源的波長(zhǎng)在帶有隱藏信息的結(jié)構(gòu)單元的反射譜波谷波長(zhǎng)附近±40nm之內(nèi)；所述窄帶光源的波長(zhǎng)在帶有隱藏信息的結(jié)構(gòu)單元的反射譜波谷波長(zhǎng)附近±30nm之內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為硅片或玻璃片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬反射層由鋁或銀制備得到。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬反射層的厚度大于40nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層為固化電子膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬顆粒半連續(xù)膜由鋁、銀、金或鎳制備得到。

7.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1. 清洗襯底；

S2. 制備金屬反射層：在襯底上通過(guò)熱蒸發(fā)設(shè)備、電子束蒸發(fā)設(shè)備或?yàn)R射儀制備金屬反射層；

S3. 旋涂電子束膠：在金屬反射層上旋涂電子束膠；

S4. 制作版圖：利用制圖軟件制作出帶有需要隱藏信息的用于電子束刻蝕的版圖；

S5. 電子束刻蝕與顯影：通過(guò)電子束刻蝕設(shè)備，在旋涂了電子束膠的金屬反射層上曝光出步驟S4的版圖的圖案，然后通過(guò)顯影劑進(jìn)行顯影，得到顯影后的基片；

S6. 濺射金屬顆粒半連續(xù)膜：在顯影后的基片表面濺射金屬顆粒半連續(xù)膜，得到所述物理型信息隱藏結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟S6中濺射的電流為3～150mA，時(shí)間為20～350s。