[發明專利]一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010484246.6
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN111599824B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 謝鋒
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京允天律師事務所 11697
• 代理人: 王萌

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上設置有至少一個第一薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管的有源層包括同層設置的多晶硅以及金屬氧化物，所述金屬氧化物在所述襯底上的投影位于所述多晶硅在所述襯底上的投影內；

所述金屬氧化物設置于所述第一薄膜晶體管的溝道中；

所述第一薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極包括至少兩個子金屬層，一個所述子金屬層為鈦金屬層；

同一所述第一薄膜晶體管中，所述柵極在所述襯底上的投影覆蓋所述金屬氧化物在所述襯底上的投影。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

同一所述第一薄膜晶體管中，所述多晶硅環繞所述金屬氧化物的四周設置。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物填充整個所述第一薄膜晶體管的溝道。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述柵極包括兩個子金屬層，另一個所述子金屬層為鉬金屬層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述柵極包括三個子金屬層，沿垂直于所述襯底所在平面的方向上，三個所述子金屬層依次為鈦金屬層、鋁金屬層以及鈦金屬層。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

至少一個第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設置在所述襯底上，所述第二薄膜晶體管的有源層為多晶硅。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管的有源層與所述第二薄膜晶體管的有源層位于同層。

8.一種根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底的一側表面形成至少一個第一多晶硅島以及至少一個第二多晶硅島，所述第一多晶硅島開設有凹槽；

遮擋所述第二多晶硅島，對所述第一多晶硅島進行離子注入，形成P型半導體；

遮擋所述第二多晶硅島以及所述第一多晶硅島的溝道，對所述第一多晶硅島的源漏兩極進行離子注入，形成N型半導體；

在所述第一多晶硅島的凹槽內填充金屬氧化物；

還包括：

在所述第一多晶硅島以及所述第二多晶硅島的表面鋪設柵絕緣層；

在所述柵絕緣層的表面鋪設第一金屬層，所述第一金屬層包括至少兩個子金屬層，一個所述子金屬層為鈦金屬層；

刻蝕所述第一金屬層，形成柵極。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一多晶硅島的凹槽內填充金屬氧化物，包括：

在所述襯底靠近所述第一多晶硅島的一側表面鋪設覆蓋所述第一多晶硅島以及所述第二多晶硅島的金屬氧化物膜層；

刻蝕所述金屬氧化物膜層，形成與所述第一多晶硅島同層且位于所述第一多晶硅島的凹槽內的金屬氧化物。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，還包括：

遮擋所述第一多晶硅島以及所述第二多晶硅島的溝道，對所述第二多晶硅島的源漏兩極進行離子注入，形成P型半導體；

形成覆蓋所述柵極的層間介質層；

在所述層間介質層遠離所述襯底的表面形成金屬電容；

形成覆蓋所述金屬電容的層間絕緣層；

同時進行氫化活化處理。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述層間絕緣層的表面形成源極以及漏極；

形成覆蓋所述源極 以及所述漏極的平坦化層；

在所述平坦化層的表面形成公共電極。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1~7任意一項所述的陣列基板。