[發明專利]分離器件金絲鍵合過渡結構

有效

• 申請號: 202010481119.0
• 申請日: 2020-05-31
• 公開（公告）號: CN111640682B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 杜明;張凱
• 申請（專利權）人: 西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 成飛(集團)公司專利中心 51121
• 代理人: 郭純武

1.一種分離器件金絲鍵合過渡結構，包括：設置在多層介質板(1)中部的介質集成同軸體(2)，固定在介質集成同軸體(2)中心的內導體金屬化過孔(3)，圍繞內導體金屬化過孔(3)，圓陣分布在介質集成同軸體(2)盤面外的外導體金屬化過孔(4)，其特征在于：內導體金屬化過孔(3)上端連接有一扇形金屬盤(7)，扇形金屬盤(7)通過扇柄(9)尾端上的扇柄套環(8)連接在內導體金屬化過孔(3)的內導體上，鍵合金絲(11)的兩條分支線通過扇面(10)圓弧面上的兩個鍵合球級聯過渡連接到分離器件(12)的鍵合點上，實現分離器件(12)到介質集成同軸體(2)的平滑過渡，并且介質集成同軸體(2)盤面的外緣上刻蝕有圓形缺口(6)，扇面(10)與多層介質板(1)的上表面地(5)形成平板電容特性，扇面(10)通過邊緣電容效應來抵消鍵合金絲(11)金絲鍵合產生的寄生電感效應。

2.如權利要求1所述的分離器件金絲鍵合過渡結構，其特征在于：多層介質板(1)是混壓印制板，或高、低溫共燒陶瓷實現的多層電路結構的電路板。

3.如權利要求1所述的分離器件金絲鍵合過渡結構，其特征在于：介質集成同軸體(2)垂直于多層介質板(1)，其中，內導體金屬化過孔(3)等效為其內導體，外導體金屬化過孔(4)等效為其外導體，且金屬化過孔(4)按圓形軌跡圍繞在金屬化過孔(3)周圍。

4.如權利要求1所述的分離器件金絲鍵合過渡結構，其特征在于：內導體金屬化過孔(3)等效為其內導體，外導體金屬化過孔(4)等效為其外導體，且金屬化過孔(4)按圓形軌跡圍繞在金屬化過孔(3)周圍。