[發(fā)明專利]H橋集成激光驅(qū)動器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010475792.3
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN112019176A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·V·阿卜杜勒海林;M·Q·勒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海橙科微電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H01S5/042
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉瑜

1.一種H橋集成激光驅(qū)動器，包括：

重定時器，其被配置為將低速并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為高速串行位流和高速并行位流的反相表示；

M位PMOSDAC，其被配置為接收第一緩沖位流；

N位NMOSDAC，其被配置為接收第二緩沖位流；

保護器件，其耦合在所述M位DAC與所述N位DAC之間；

第一DC電平移位預(yù)驅(qū)動器陣列，其耦合在所述重定時器和所述M位DAC之間，以用于接收所述高速并行位流和所述反相的高速并行位流；

第二DC電平移位預(yù)驅(qū)動器陣列，其耦合在所述重定時器和所述N位DAC之間，以用于接收所述高速并行位流和反相的高速并行位流；以及

阻抗匹配模塊，其耦合到所述保護器件的輸出端；

其中，所述第一緩沖位流與所述第二緩沖位流基本同步。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述重定時器包括串行器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，M＝N。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，M＝1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，信號反相發(fā)生在所述預(yù)驅(qū)動器陣列之一或兩者的輸入端處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，信號反相發(fā)生在所述預(yù)驅(qū)動器陣列之一或兩者的輸出端處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述第一緩沖位流和所述第二緩沖位流基本相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述保護器件將VGD、VGS和VDS限制為小于所述PMOSDAC的擊穿電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述保護器件將VGD、VGS和VDS限制為小于所述NMOSDAC的擊穿電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述保護器件減小所述激光驅(qū)動器的輸出端處的電容。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述保護器件包括一個或多個共源共柵級。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述阻抗匹配模塊被配置為匹配25歐姆或50歐姆系統(tǒng)的阻抗。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述阻抗匹配模塊包括耦合在所述激光驅(qū)動器的差分端子兩端的電阻器。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述阻抗匹配模塊包括耦合在芯片上阻抗和所述驅(qū)動器的輸出端端子之間的T形線圈，其中，所述T形線圈包括連接到所述保護器件的輸出端的中心抽頭。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，其中，所述阻抗匹配模塊包括在所述驅(qū)動器的差分端子之間的中心抽頭、耦合在每個差分端子和所述中心抽頭之間的電阻器、以及耦合到所述中心抽頭的AC接地電容器。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的激光驅(qū)動器，還包括T形線圈或電感器，所述T形線圈或所述電感器可以耦合在每個電阻器和所述驅(qū)動器輸出端之間，以改善高頻阻抗匹配和輸出帶寬。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，被形成為集成電路芯片上的系統(tǒng)。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光驅(qū)動器，被實施為用于DML或EML的驅(qū)動器。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的激光驅(qū)動器，被實施為用于NMOS偏置電路的差分驅(qū)動器。