[發(fā)明專利]一種系統(tǒng)級封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010469116.5
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111640675A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝建友;馬曉波
• 申請（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司技術(shù)研發(fā)分公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/31;H01L23/52;H01L23/053
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述系統(tǒng)級封裝方法包括：

在主芯片的功能面上的連接焊盤上形成導(dǎo)電件并在所述主芯片的側(cè)面和功能面形成塑封層，且所述導(dǎo)電件的一端從所述塑封層中露出；

利用打線的方式將所述導(dǎo)電件的所述一端與第一封裝模塊電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述在主芯片的功能面上的連接焊盤上形成導(dǎo)電件并在所述主芯片的側(cè)面和功能面形成塑封層，包括：

在所述主芯片的功能面形成光刻膠，并在所述光刻膠對應(yīng)所述連接焊盤的位置開設(shè)第一開口；

在所述第一開口內(nèi)形成所述導(dǎo)電件；

去除所述光刻膠；

在所述主芯片的側(cè)面和所述導(dǎo)電件的側(cè)面形成所述塑封層，且所述導(dǎo)電件的一端從所述塑封層中露出。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述在所述主芯片的側(cè)面和所述導(dǎo)電件的側(cè)面形成所述塑封層，包括：

在所述主芯片側(cè)面和功能面上形成所述塑封層，且所述塑封層覆蓋所述導(dǎo)電件；

研磨所述塑封層遠離所述主芯片的功能面一側(cè)以使所述塑封層與所述導(dǎo)電件齊平，所述導(dǎo)電件從所述塑封層中露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電件為導(dǎo)電柱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述在主芯片的功能面上的連接焊盤上形成導(dǎo)電件并在所述主芯片的側(cè)面和功能面形成塑封層，包括：

在所述主芯片的側(cè)面和所述功能面上形成所述塑封層，并在所述塑封層對應(yīng)所述連接焊盤的位置開設(shè)第二開口；

在所述第二開口內(nèi)形成所述導(dǎo)電件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述在所述第二開口內(nèi)形成所述導(dǎo)電件，包括：

在所述第二開口內(nèi)以及與所述第二開口鄰近的所述塑封層的表面形成濺射金屬層；

在對應(yīng)所述第二開口位置處的所述濺射金屬層上形成導(dǎo)電柱；

蝕刻去除位于所述塑封層表面的所述濺射金屬層；其中，所述導(dǎo)電件包括所述導(dǎo)電柱以及位于所述導(dǎo)電柱下方的所述濺射金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，所述在主芯片的功能面上的連接焊盤上形成導(dǎo)電件并在所述主芯片的側(cè)面和功能面形成塑封層之后，包括：

對所述導(dǎo)電件的所述一端表面進行處理，以使所述一端表面更柔軟進而便于打線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，

所述在主芯片的功能面上的連接焊盤上形成導(dǎo)電件并在所述主芯片的側(cè)面和功能面形成塑封層之前，包括：

將至少一個所述主芯片的非功能面黏貼在載板上；

所述利用打線的方式將所述導(dǎo)電件的所述一端與第一封裝模塊電連接之前，包括：去除所述載板。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，當所述載板上黏貼有至少兩個所述主芯片時，所述去除所述載板之后，還包括：

切割掉相鄰的所述主芯片之間的部分所述塑封層，以獲得包含單個所述主芯片、所述導(dǎo)電件和所述塑封層的第一封裝體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)級封裝方法，其特征在于，還包括：

在所述第一封裝體和所述第一封裝模塊的外圍設(shè)置保護殼，以使所述第一封裝體和所述第一封裝模塊容置于所述保護殼內(nèi)。