[發明專利]一種串級式軔致輻射反射三極管

有效

• 申請號: 202010467599.5
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111524772B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 來定國;徐啟福;邱孟通;楊海亮;張鵬飛;吳撼宇;李沫
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究院
• 主分類號: H01J35/06
• 分類號: H01J35/06;H01J35/08;H01J35/14;H01J35/16
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 鄭麗紅

1.一種串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：包括陽極引出段(1)、接地筒(2)、懸浮電極(3)、絕緣子(4)、第一級反射三極管、第二級反射三極管和真空腔室(9)；

所述陽極引出段(1)為筒體結構，其左端與脈沖功率源輸出端(10)連接，將正高電壓引出，右端筒壁上設有多個沿軸向設置、周向均布的安裝缺口(19)；

所述接地筒(2)包括同軸設置的接地外筒(11)和接地內筒(12)，所述接地外筒(11)的左端與脈沖功率源接地端連接，與陽極引出段(1)構成同軸磁絕緣傳輸線，右端與真空腔室(9)連接，形成真空腔體；所述接地內筒(12)設置在接地外筒(11)內側，其左端與接地外筒(11)固定連接，右端設置有多個沿軸向設置、周向均布的預留缺口(13)；

所述懸浮電極(3)與陽極引出段(1)、接地筒(2)同軸設置，包括由外向內同軸依次套裝的陽極固定環(14)、外陰極固定環(15)和內陰極固定環(16)，且陽極固定環(14)、外陰極固定環(15)和內陰極固定環(16)通過連接支架(18)連接為整體；所述陽極固定環(14)位于接地外筒(11)和接地內筒(12)之間，所述外陰極固定環(15)位于接地內筒(12)和陽極引出段(1)之間，所述內陰極固定環(16)位于陽極引出段(1)腔體內，所述連接支架(18)插入陽極引出段(1)的安裝缺口(19)、接地內筒(12)的預留缺口(13)內，形成絕緣間隙；

所述絕緣子(4)設置在陽極引出段(1)的腔體內，且與陽極引出段(1)同軸，其一端與脈沖功率源輸出端(10)連接，另一端與懸浮電極(3)的內陰極固定環(16)連接；

所述第一級反射三極管包括第一陽極環(5)和兩組第一陰極環(7)，所述第一陽極環(5)設置在陽極引出段(1)的右端面，兩組第一陰極環(7)分別設置在外陰極固定環(15)和內陰極固定環(16)的右端面；

所述第二級反射三極管包括第二陽極環(6)和兩組第二陰極環(8)，所述第二陽極環(6)設置在陽極固定環(14)的右端面，兩組第二陰極環(8)分別設置在接地外筒(11)和接地內筒(12)的右端面。

2.根據權利要求1所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述第一陽極環(5)和第二陽極環(6)包括圓筒狀鉭箔膜和支撐環，所述圓筒狀鉭箔膜粘接在支撐環外周面，所述支撐環插接在陽極固定環(14)、陽極引出段(1)的右端面。

3.根據權利要求2所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述圓筒狀鉭箔膜的厚度為10～20μm。

4.根據權利要求1或2或3所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述第一陰極環(7)正對第一陽極環(5)的側面設置有凹槽(20)，用于增加第一陰極環(7)表面的電場強度；所述第二陰極環(8)正對第二陽極環(6)的側面設置有凹槽(20)，用于增加第二陰極環(8)表面的電場強度。

5.根據權利要求4所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述絕緣子(4)為尼龍圓柱，表面設置有波紋結構，用于增減絕緣距離。

6.根據權利要求5所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述第一陰極環(7)和第二陰極環(8)為石墨材料矩形截面圓環。

7.根據權利要求6所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述第一陽極環(5)與外側的第一陰極環(7)之間的間隙為a1，所述第一陽極環(5)與內側的第一陰極環(7)之間的間隙為a2，a1與a2的偏差小于0.2mm。

8.根據權利要求7所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述第二陽極環(6)與外側的第二陰極環(8)之間的間隙為a3，所述第二陽極環(6)與內側的第二陰極環(8)之間的間隙為a4，a3與a4的偏差小于0.2mm。

9.根據權利要求8所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述真空腔室(9)的真空度小于1×10^-2Pa。

10.根據權利要求9所述的串級式軔致輻射反射三極管，其特征在于：所述接地外筒(11)的外周面上設置有第一安裝法蘭(21)，所述真空腔室(9)上設置有第二安裝法蘭(22)，所述接地外筒(11)和真空腔室(9)通過第一安裝法蘭(21)和第二安裝法蘭(22)的配合安裝連接。