[發(fā)明專利]一種自適應工藝電壓溫度降低靜態(tài)存儲器SRAM漏電流的系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010466933.5 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN111739568B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉新寧;鄒為 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學 |
| 主分類號: | G11C11/412 | 分類號: | G11C11/412;G11C11/417;G11C5/14;G01R19/00;G01K13/00 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉瑋 |
| 地址: | 210096 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 自適應 工藝 電壓 溫度 降低 靜態(tài) 存儲器 sram 漏電 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種自適應工藝電壓溫度降低靜態(tài)存儲器SRAM漏電流的系統(tǒng),屬于基本電氣元件的技術(shù)領域。該系統(tǒng)包含工藝電壓溫度監(jiān)測模塊、電壓調(diào)節(jié)模塊、假負載模塊、開關(guān)管模塊、功率管模塊、狀態(tài)切換控制信號產(chǎn)生電路模塊。上電后系統(tǒng)整體開始工作,工藝電壓溫度監(jiān)測模塊輸出當前工藝、溫度下的參考電壓值,并能夠抵抗一定的電源電壓波動,在進入睡眠的切換過程中,假負載首先工作,穩(wěn)定電壓調(diào)節(jié)環(huán)路,預先調(diào)整功率管模塊柵極電壓,減小切換過程中SRAM供電電壓下沖,然后假負載關(guān)閉,SRAM經(jīng)過電壓調(diào)節(jié)模塊調(diào)整,供電電壓接近工藝電壓溫度監(jiān)測模塊輸出后徹底進入睡眠模式。本發(fā)明在不同的工藝電壓溫度情況下都會自適應調(diào)節(jié)SRAM供電電壓至最優(yōu)值,降低漏電流。
技術(shù)領域
本發(fā)明公開了一種自適應工藝電壓溫度降低靜態(tài)存儲器SRAM漏電流的系統(tǒng),涉及存儲器技術(shù),屬于基本電氣元件的技術(shù)領域。
背景技術(shù)
在芯片的實際應用場景中,芯片可能工作在不同的模式,常見的模式有高性能模式、低性能模式以及保持模式等。在這些常見模式下芯片的漏電流消耗是不同的,為了延長電池工作時長,降低漏電流變得十分重要,漏電流的抑制效果直接影響到電池的壽命。通常系統(tǒng)處在睡眠或者保持模式下的時間遠遠大于系統(tǒng)動態(tài)工作的時間,因此,降低保持模式下漏電流對于整體漏電流的降低具有重要意義。
當工藝節(jié)點更新導致存儲單元內(nèi)部晶體管柵氧層厚度變薄時,會導致SRAM睡眠時保證高良率的最小數(shù)據(jù)保持電壓隨工藝和溫度波動較大,工藝越快、溫度越高,SRAM所需要的最小數(shù)據(jù)保持電壓越低。傳統(tǒng)的低漏電SRAM設計通過在SRAM內(nèi)部采用MOS二極管的方式降低SRAM的實際供電電壓,這種方式雖然能在一定程度上降低SRAM的漏電流,但是對工藝電壓溫度變化較為敏感,不能精確保證SRAM在不同工藝電壓溫度情況下睡眠時內(nèi)部供電電壓均為最優(yōu)值。隨著工藝變快、電源電壓波動、溫度上升,SRAM睡眠時供電電壓升高,漏電流增大。申請?zhí)枮?01410003005的中國專利公開了靜態(tài)隨機存取存儲器的自適應性數(shù)據(jù)保持電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng),該系統(tǒng)通過設置監(jiān)測陣列來監(jiān)測工藝電壓溫度的變化,并在監(jiān)測陣列中數(shù)據(jù)出錯后給出警示信號,刷新SRAM 的供電電壓并重置監(jiān)測陣列內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)可以較好地跟蹤工藝電壓溫度的變化并改變SRAM睡眠時的供電電壓,但是隨著設計良率的提升,監(jiān)測陣列會帶來大量的面積和功耗開銷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是針對上述背景技術(shù)的不足,提供了一種自適應工藝電壓溫度降低靜態(tài)存儲器SRAM漏電流的系統(tǒng),通過面積開銷較小的工藝電壓溫度監(jiān)測模塊擬合SRAM實際的最小數(shù)據(jù)保持電壓,再配合電壓調(diào)節(jié)模塊、開關(guān)管模塊、假負載模塊組成的閉環(huán)減小了SRAM切換至睡眠狀態(tài)時的電壓下沖,解決了傳統(tǒng)低漏電SRAM在不同工藝電壓溫度情況下不能自適應精確調(diào)整SRAM睡眠時供電電壓的技術(shù)問題,同時保證較低的面積和功耗開銷,并且可以降低SRAM由動態(tài)工作模式切換至睡眠模式時的供電電壓下沖。
本發(fā)明為實現(xiàn)上述發(fā)明目的采用如下技術(shù)方案:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學,未經(jīng)東南大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010466933.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:燃燒源無組織排放系數(shù)和泄露比的定量方法
- 下一篇:腹腔鏡模擬器





