[發明專利]晶圓清洗裝置及晶圓清洗機

在審

• 申請號: 202010461427.7
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111790663A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 趙學彬;吳儀
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發明提供一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗機，該晶圓清洗裝置清洗槽，其特征在于，晶圓清洗裝置還包括底部支撐組件；底部支撐組件設置在清洗槽的底部，包括第一支撐件和第二支撐件；第一支撐件固定設置在清洗槽的底壁上，用于支撐晶圓；第二支撐件用于支撐并帶動晶圓由初始位置上升至可脫離晶圓與第一支撐件相接觸的觸點的第一預設位置；以及，用于支撐并帶動晶圓由第一預設位置下降至可接觸觸點的初始位置。應用本發明可以解決現有技術中清洗晶圓時在晶圓的支撐接觸點具有死角，無法清洗干凈的問題，繼而提高對晶圓的清洗效果，減少因清洗不到位而造成的晶圓污染。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體地，涉及一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗機。

背景技術

半導體是現代經濟社會發展的戰略性產業，其廣泛應用于通信、汽車及電子消費等產業，是絕大多數電子設備的核心部件之一。隨著 IC半導體制造技術的不斷發展，晶圓的特征尺寸也不斷減小，對晶圓清洗工藝和設備的需求也不斷增加。

目前，槽式清洗設備可以在滿足工藝效果的前提下批量處理晶圓，有著不可替代的優勢。但是，現有的槽式機臺多用花籃傳輸晶圓，而花籃結構在工藝過程中會阻礙藥液流動，從而在晶圓與花籃的接觸區域形成清洗“死角區”，循環藥液的流動作用力不足以沖破接觸點處由于表面張力作用形成的邊界層，致使晶圓清洗工藝效果差，影響產品良率等。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗機。

為實現本發明的目的，第一方面提供一種晶圓清洗裝置，包括清洗槽，所述晶圓清洗裝置還包括底部支撐組件；

所述底部支撐組件設置在所述清洗槽的底部，包括第一支撐件和第二支撐件；

所述第一支撐件固定設置在所述清洗槽的底壁上，用于支撐晶圓；

所述第二支撐件用于支撐并帶動所述晶圓由初始位置上升至可脫離所述晶圓與所述第一支撐件相接觸的觸點的第一預設位置；以及，用于支撐并帶動所述晶圓由所述第一預設位置下降至可接觸所述觸點的所述初始位置。

可選地，所述第一支撐件包括第一支撐本體和設置于所述第一支撐本體頂部的第一支撐塊；所述第一支撐塊上表面開設有一個或多個第一約束槽；所述第一約束槽用于支撐所述晶圓，并約束所述晶圓在所述清洗槽中的位置；

所述第一約束槽的底面與置于所述第一約束槽內的晶圓的邊緣所在圓周相切。

可選地，所述第二支撐件包括第二支撐本體和設置于所述第二支撐本體頂部的第二支撐塊，所述第二支撐塊上表面開設有一個或多個第二約束槽；所述第二約束槽用于支撐所述晶圓，并約束所述晶圓在所述清洗槽中的位置；

所述第二約束槽的底面與置于所述第二約束槽內的晶圓的邊緣所在圓周相切。

可選地，還包括側壁約束組件，所述側壁約束組件包括側壁約束本體和晶圓側部約束結構；

所述側壁約束本體設置在所述清洗槽的槽壁上；所述晶圓側部約束結構設置在所述側壁約束本體上，用于約束所述晶圓在所述清洗槽中的位置。

可選地，所述晶圓側部約束結構包括晶圓側部約束本體和設置在所述晶圓側部約束本體上的晶圓側部約束槽，所述晶圓側部約束槽用于約束所述晶圓在所述清洗槽中的位置，且所述晶圓側部約束槽為 V形槽。

可選地，所述側壁約束本體上開設有排液孔，所述清洗液通過所述排液孔溢流至所述清洗槽的外部。

可選地，還包括噴淋裝置，所述噴淋裝置設置于所述清洗槽的側壁上，用于在所述第一支撐件和/或所述第二支撐件支撐所述晶圓時，朝向所述晶圓的與所述第二支撐件和/或所述第一支撐件接觸過的位置進行噴淋。