[發明專利]基板處理方法、基板處理裝置以及計算機可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202010450886.5
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN111580347B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 野田康朗;西山直
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理方法、基板處理裝置以及計算機可讀存儲介質?；逄幚矸椒òǎ簭恼障鄼C取得被處理基板的端面的拍攝圖像；對所述被處理基板的端面的拍攝圖像進行圖像處理而取得所述被處理基板的端面的形狀數據；以及基于翹曲量已知的基準基板的端面的形狀數據以及利用圖像處理得到的所述被處理基板的端面的形狀數據對所述被處理基板的翹曲量進行計算。

本申請是申請日為2017年2月22日、申請號為2017100973828、發明名稱為“基板處理方法、基板處理裝置”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

當前，在對基板(例如半導體晶圓)進行微細加工來制造半導體器件時，一般廣泛地進行使用光刻技術而在基板上形成凹凸圖案(例如抗蝕劑圖案)的工序。在半導體晶圓上形成抗蝕劑圖案的工序包括例如在晶圓的表面形成抗蝕劑膜(涂敷膜)的抗蝕劑膜形成處理、按照預定的圖案對該抗蝕劑膜進行曝光的曝光處理、以及使曝光后的抗蝕劑膜和顯影液反應而進行顯影的顯影處理。

在抗蝕劑膜形成處理中，一般而言，可采用使晶圓旋轉、同時向晶圓的表面滴下抗蝕劑液的旋涂法。因此，通常在晶圓的表面整體形成抗蝕劑膜。然而，若利用輸送臂輸送這樣的晶圓W，在輸送臂把持晶圓W的周緣之際抗蝕劑膜附著于輸送臂。在該情況下，后續的晶圓可能被附著到輸送臂的抗蝕劑膜的殘渣污染。因此，有時進行將存在于晶圓的周緣區域的抗蝕劑膜去除的周緣去除處理。

專利文獻1公開了一種方法(邊緣沖洗處理)作為周緣去除處理的一個例子，在該方法中，在抗蝕劑膜形成于晶圓的表面之后，使晶圓旋轉、同時向抗蝕劑膜(固化膜)中的位于晶圓的周緣區域的部分(抗蝕劑膜的周緣部)供給有機溶劑，從而將抗蝕劑膜的周緣部沿著晶圓的周緣去除。專利文獻2公開了一種方法(周緣曝光顯影處理)作為周緣去除處理的另一例子，在該方法中，在抗蝕劑膜形成于晶圓的表面之后，從晶圓的周緣朝向內側以預定的寬度對晶圓的周緣區域進行曝光、顯影，從而將抗蝕劑膜的周緣部沿著晶圓的周緣去除。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-333355號公報

專利文獻2：日本特開2002-158166號公報

發明內容

發明要解決的問題

不過，晶圓經由各種工序來制造，因此，存在晶圓從當初(從實施微細加工之前起)具有翹曲的情況。另外，在將抗蝕劑膜形成于晶圓的表面之際，在將抗蝕劑液涂敷于晶圓的表面之后，對晶圓進行加熱處理和冷卻處理。因此，有時隨著熱相對于晶圓的出入，晶圓就翹曲。特別是近年來，正在進行3D?NAND閃存的開發。該存儲器經由很多次抗蝕劑膜的形成工序來制造，因此，反復對晶圓進行加熱處理和冷卻處理。因此，在晶圓產生的翹曲可能極大到例如幾百μm～1mm程度。

在晶圓具有翹曲的情況下，若在晶圓的處理之際使晶圓旋轉，則晶圓的周緣的高度位置可變動。因此，在對晶圓的周緣進行邊緣沖洗處理的情況下，該周緣與有機溶劑的供給噴嘴之間的分開距離可變動。同樣地，在對晶圓的周緣進行周緣曝光顯影處理的情況下，到該周緣為止的光程可變動。因而，若對具有翹曲的晶圓進行周緣去除處理(邊緣沖洗處理、周緣曝光顯影處理等)，則可產生這樣的不良情況：抗蝕劑膜的周緣部的去除寬度沿著晶圓的周緣變得不均勻，不滿足所期望的設定范圍或超過該設定范圍。特別是近年來，要求謀求凹凸圖案的進一步的微細化、在晶圓形成的電路的進一步高集成化。因此，若存在抗蝕劑膜的周緣部的去除寬度較大的部分，則妨礙電路的向基板的高集成化。

因此，本發明說明即使是在基板具有翹曲的情況下、也可對該基板的周緣進行恰當的處理的基板處理方法和基板處理裝置。