[發(fā)明專利]用于高吸收比材料的垂直碳納米管陣列的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010441415.8
• 申請(qǐng)日: 2020-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN111455339B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康品春;馮國(guó)進(jìn);柴忻;章俞之;蔣淑戀;鄭鵬;阮育嬌;周萍;崔潼;黃藝濱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市計(jì)量檢定測(cè)試院
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C16/26;C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 湯星星

1.一種垂直碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）于基體表面依次鍍上緩沖層和催化劑層，所述緩沖層為Al₂O₃膜層，所述催化劑層為鐵膜層；

（2）將鍍有緩沖層和催化劑層的基體置于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔體中，通入碳源，于750℃條件下進(jìn)行反應(yīng)，直至在催化劑層表面析出并形成I_D/I_G為1.93的所述垂直碳納米管陣列；

步驟（1）中，采用下述方法將緩沖層鍍于基體上：將基體置于5×10^-5 Pa的真空條件下，采用磁控濺射方法先進(jìn)行預(yù)濺射30min，然后進(jìn)行反應(yīng)濺射4min；

所述基體的厚度為725μm；

所述緩沖層的厚度為16.72nm；

所述催化劑層的厚度為2.62 nm；

采用乙醇、丙酮和去離子水依次對(duì)基體進(jìn)行超聲清洗，然后烘干，再進(jìn)行預(yù)濺射；

步驟（1）中，采用下述方法將催化劑層鍍于緩沖層上：將鍍有緩沖層的基體置于5×10^-5 Pa的真空條件下，采用磁控濺射方法先進(jìn)行預(yù)濺射30min，然后進(jìn)行反應(yīng)濺射16min；

所述基體的材質(zhì)為P100單面拋光硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，還包括測(cè)控步驟，所述測(cè)控步驟為：采用橢偏儀對(duì)鍍有緩沖層和催化劑層的基體進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量，測(cè)量并分析制得的緩沖層和/或催化劑層的厚度以及成分信息。