[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010439655.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-05-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111987125A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樸永祐;方琪皓;全相炫;崔原碩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;張曉 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
基底，包括顯示區(qū)域、圍繞所述顯示區(qū)域的外周的非顯示區(qū)域、在第一邊界處連接到所述非顯示區(qū)域的第一附加區(qū)域以及在第二邊界處連接到所述第一附加區(qū)域的第二附加區(qū)域；
像素，位于所述顯示區(qū)域中；
封裝膜，位于所述像素上；
感測(cè)電極，位于所述封裝膜上；
墊，位于所述第二附加區(qū)域中；
感測(cè)布線，將所述感測(cè)電極和所述墊連接；
第一感測(cè)絕緣膜，位于所述封裝膜上；以及
第二感測(cè)絕緣膜，位于所述第一感測(cè)絕緣膜、所述感測(cè)電極和所述感測(cè)布線上，
其中，所述基底包括在所述第一附加區(qū)域中的彎曲的第一邊并且所述第一附加區(qū)域在寬度上從所述第一邊界到所述第二邊界減小，并且
所述第一感測(cè)絕緣膜的邊界比所述第二感測(cè)絕緣膜的邊界靠近所述第一邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一感測(cè)絕緣膜的所述邊界不被所述第二感測(cè)絕緣膜覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述基底包括從所述第一邊延伸以與所述非顯示區(qū)域疊置的第一彎曲區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一感測(cè)絕緣膜的所述邊界和所述第二感測(cè)絕緣膜的所述邊界位于所述第一彎曲區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第二附加區(qū)域包括第二彎曲區(qū)域，并且
所述第一彎曲區(qū)域和所述第二彎曲區(qū)域不疊置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述封裝膜包括有機(jī)膜，
所述顯示裝置還包括位于所述有機(jī)膜的邊界處的壩，并且
其中，所述第二感測(cè)絕緣膜的所述邊界比所述壩靠近所述第一邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述封裝膜包括有機(jī)膜，
所述顯示裝置還包括位于所述有機(jī)膜的邊界處的壩，并且
其中，所述第二感測(cè)絕緣膜的所述邊界比所述壩遠(yuǎn)離所述第一邊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第二感測(cè)絕緣膜的所述邊界比所述感測(cè)布線靠近所述第一邊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一感測(cè)絕緣膜位于所述封裝膜與所述感測(cè)布線之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述感測(cè)電極位于所述第一感測(cè)絕緣膜上，
所述顯示裝置還包括位于所述第一感測(cè)絕緣膜下面的橋接電極，并且
其中，所述感測(cè)電極通過(guò)所述第一感測(cè)絕緣膜的接觸孔連接到所述橋接電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述感測(cè)電極位于所述第一感測(cè)絕緣膜下面，
所述顯示裝置還包括位于所述第一感測(cè)絕緣膜上的橋接電極，并且
其中，所述橋接電極通過(guò)所述第一感測(cè)絕緣膜的接觸孔連接到所述感測(cè)電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一感測(cè)絕緣膜位于所述感測(cè)布線與所述第二感測(cè)絕緣膜之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述感測(cè)電極位于所述第一感測(cè)絕緣膜上，
所述顯示裝置還包括位于所述第一感測(cè)絕緣膜下面的橋接電極，并且
其中，所述感測(cè)電極通過(guò)所述第一感測(cè)絕緣膜的接觸孔連接到所述橋接電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述感測(cè)電極位于所述第一感測(cè)絕緣膜下面，
所述顯示裝置還包括位于所述第一感測(cè)絕緣膜上的橋接電極，并且
其中，所述橋接電極通過(guò)所述第一感測(cè)絕緣膜的接觸孔連接到所述感測(cè)電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
