[發明專利]燒結的R2 有效
| 申請號: | 202010438191.5 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111986910B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 凱恩·斯圖納;馬提亞·卡特;克里斯多夫·布朗巴希爾 | 申請(專利權)人: | 真空融化股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F41/02 | 分類號: | H01F41/02;H01F1/055 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燒結 base sub | ||
1.一種制造R2M17合金磁體的方法,其中,R是由Ce、La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y組成的組中的至少一種,M包括Co、Fe、Cu和Zr,其中,R2M17合金包括隨著溫度降低包含第一相區、第二相區和第三相區的相圖,相圖包括第一相區與第二相區之間的第一邊界以及第二相區與第三相區之間的第二邊界,第一相區包括處于平衡狀態的液相和固體R2M17相,并且第二相區包括具有大于95%的相分數的固體R2M17主要相,第三相區包括處于平衡狀態的不同的組成的至少兩種固相,所述至少兩種固相包括固體R2M17相,所述方法包括以下步驟:
在高于第一邊界并在第一相區中的第一溫度TS下對包括2R和17M的比率的坯體進行熱處理,隨后
將所述坯體進行冷卻通過第一邊界并且在第一邊界與第二邊界之間的溫度TH下對所述坯體進行熱處理,或者,將所述坯體進行冷卻通過第一邊界,隨后
將所述坯體進行加熱通過第一邊界并且在第一邊界與第一溫度TS之間的溫度TAH下對所述坯體進行熱處理,隨后
將所述坯體進行冷卻通過第一邊界,并且在低于第一邊界的溫度下對所述坯體進行熱處理。
2.根據權利要求1所述的方法,所述方法還包括重復以下步驟:
將所述坯體進行加熱通過第一邊界并且在第一邊界與第一溫度TS之間的溫度TAH下對所述坯體進行熱處理,隨后
將所述坯體進行冷卻通過第一邊界,并且在低于第一邊界的溫度下對所述坯體進行熱處理。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,在溫度Ts、TH和TAH中的至少一個溫度下的熱處理停留時間為30分鐘至4小時。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,TH比Ts小5℃至40℃。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,TS位于1155℃至1210℃的范圍內,TH位于1120℃至1170℃的范圍內,并且TAH位于1135℃至1200℃的范圍內。
6.一種制造R2M17合金磁體的方法,其中,R是由Ce、La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y組成的組中的至少一種,M包括Co、Fe、Cu和Zr,其中,R2M17合金包括隨著溫度降低包含第一相區、第二相區和第三相區的相圖,相圖包括第一相區與第二相區之間的第一邊界以及第二相區與第三相區之間的第二邊界,第一相區包括處于平衡狀態的液相和固體R2M17相,并且第二相區包括具有大于95%的相分數的固體R2M17主要相,第三相區包括處于平衡狀態的不同的組成的至少兩種固相,所述至少兩種固相包括固體R2M17相,所述方法包括以下步驟:
在高于第一邊界并在第一相區中的第一溫度TS下對包括2R和17M的比率的坯體進行熱處理,隨后
將所述坯體進行冷卻通過第一邊界并且在第一邊界與第二邊界之間的溫度TH下對所述坯體進行熱處理,或者,將所述坯體進行冷卻通過第一邊界,隨后
將所述坯體進行冷卻通過第二邊界,并在低于第二邊界且高于900℃的溫度TBH下熱處理所述坯體,隨后
將所述坯體進行加熱通過第二邊界,并且在第二邊界與第一溫度Ts之間的溫度下熱處理所述坯體。
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