[發明專利]一種轉移方法及顯示背板有效
| 申請號: | 202010436578.7 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN112967970B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 蒲洋;洪溫振 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/48;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凱凱;溫宏梅 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉移 方法 顯示 背板 | ||
本發明涉及一種轉移方法及顯示背板,所述轉移方法包括:將生長基板上的微發光二極管轉移至設有支撐孔的第一暫態基板上;將表面具有剛性凸起的第二暫態基板的剛性凸起插入所述第一暫態基板的所述支撐孔內,并將所述微發光二極管與所述第二暫態基板的表面粘附;控制所述第二暫態基板發生膨脹帶動所述第一暫態基版發生形變,進行擴晶;剝離所述第一暫態基板,使所述微發光二極管轉移至所述第二暫態基板;將所述第二暫態基板上的所述微發光二極管轉移至背板上。本發明所采用的轉移方法,通過轉移過程中使暫態基板發生形變來實現對微發光二極管的排列間距的調整,制備方法簡單,且在制備過程中不需要另購置大型精密儀器以及貴重原料,制備成本較低。
技術領域
本發明涉及光電顯示領域,尤其涉及一種轉移方法及其顯示背板。
背景技術
Micro-LED是將傳統的LED結構進行微小化和矩陣化,并采用CMOS集成電路工藝制成驅動電路,來實現每一個小像素點定址控制和單獨驅動的顯示技術。由于Micro-LED技術的亮度、壽命、對比度、反應時間、能耗、可視角度和分辨率等各種指標都強于LCD和OLED技術,加上其屬于自發光、結構簡單、體積小和節能的優點,已經被許多廠家視為下一代顯示技術而開始積極布局。
巨量轉移技術是Micro-LED制造中的重要環節,轉移是將成千上萬顆Micro-LED從載體基板上轉移至目標基板上,目前,在轉移過程中,將微發光二極管從以藍寶石為主的生長基板上轉移至背板上時,需要對微發光二極管的間距進行調整,以適應生產需要,而現有技術中在巨量轉移過程中將微發光二極管之間的間距由載體基板上的間距改為目標基板上的間距的操作復雜、成本高、不利于生產。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本申請的目的在于提供一種轉移方法及顯示背板,旨在解決現有技術中巨量轉移過程中的操作復雜以及制備成本高的技術問題。
本發明解決技術問題所采用的技術方案如下:
第一方面,本申請提供一種轉移方法,其中,包括:
提供一第一暫態基板,所述第一暫態基板上開設有支撐孔,將生長基板上的微發光二極管轉移至所述第一暫態基板非開孔區域,使所述微發光二極管在所述第一暫態基板的非開孔區域呈隊列排布;
提供一第二暫態基板,所述第二暫態基板上設有與所述支撐孔匹配的剛性凸起,將所述剛性凸起插入所述支撐孔內,并將所述微發光二極管與所述第二暫態基板的表面粘附;
控制所述第二暫態基板發生膨脹帶動所述第一暫態基板發生形變,以對所述第一暫態基板上的所述微發光二極管進行擴晶;
剝離所述第一暫態基板,以使所述微發光二極管轉移至所述第二暫態基板;
將所述第二暫態基板上的所述微發光二極管轉移至背板上。
在上述實現過程中,通過在所述第二暫態基板上設置剛性凸起,在所述第一暫態基板上設置與所述剛性凸起相配合的支撐孔,在所述微發光二極管從第一暫態基板轉移至所述第二暫態基板的過程中所述剛性凸起插入所述支撐孔內,當所述第二暫態基板受外界刺激發生形變,所述剛性凸起的位置發生變化,可帶動所述第一暫態基板發生形變,從而改變粘附在所述第一暫態基板上的所述微發光二極管的間距,同時,所述微發光二極管在從所述第一暫態基板轉移至所述第二暫態基板的過程中,所述第一暫態基板與第二暫態基板的相對位置相對固定,有利于提高轉移精度。此外,本發明中對所述第二暫態基板進行刺激使其發生形變的操作簡單,且在制備過程中不需要另購置大型精密儀器以及貴重原料,制備成本較低。
可選地,所述背板上設置有與所述第二暫態基板上的所述剛性凸起相配合的孔以及用于鍵合所述微發光二極管的金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





