[發明專利]一種基于強電子注入層的倒置結構OLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010436151.7
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111584764A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 張小文;徐凱;王立惠;盧宗柳;劉黎明;王紅航
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學;中國有色桂林礦產地質研究院有限公司;電子科技大學中山學院
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣東中億律師事務所 44277
• 代理人: 杜海江

本發明公開了一種基于強電子注入層的倒置結構OLED器件及其制備方法，倒置結構OLED器件包括從左至右的ITO透明陰極、強電子注入層、BPhen電子傳輸層、TAZ發光層、CBP空穴傳輸層、三氧化鉬空穴注入層和Al陽極，強電子注入層包括氧化鋅層和碳酸銫層中的一種或兩種或氧化鋅?碳酸銫層，制備方法為碳酸銫?乙醇溶液、氧化鋅?甲醇溶液的制備及混合溶液的制備、ITO透明陰極的處理和倒置結構OLED器件的制備，本發明選擇碳酸銫和氧化鋅復合作為強電子注入層，基于TAZ發光層，OLED器件表現出優異的短波長發射，具有2.42 mW/cm²的最大輻射度和0.85％的EQE，提高了工作耐久性，XPS分析表明，氧化鋅?碳酸銫層表現出優異的電子性能并有助于電子注入，從而提高了倒置結構OLED器件的電光性能。

技術領域

本發明涉及一種紫外有機發光器件，特別是一種倒置結構OLED器件及其制備方法。

背景技術

現有的強電子注入層為了與OLED器件的制造工藝相兼容，大多是從活性堿金屬Ca、Ba、Cs、Li、Al、有機分子并五苯和Liq、無機化合物LiF、CsF、Li₂CO₃和MoS₂中進行熱蒸發，耗能較多，成本較高，可滿足的制造需求面較窄。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明提供一種基于強電子注入層的倒置結構OLED器件及其制備方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種基于強電子注入層的倒置結構OLED器件，包括從左至右的ITO透明陰極、強電子注入層、BPhen電子傳輸層、TAZ發光層、CBP空穴傳輸層、三氧化鉬空穴注入層和Al陽極，所述強電子注入層包括氧化鋅層和碳酸銫層中的一種或兩種或氧化鋅-碳酸銫層。

所述強電子注入層包括氧化鋅層和碳酸銫層，所述氧化鋅層設置在靠近所述ITO透明陰極的一端，所述碳酸銫層設置在靠近所述BPhen電子傳輸層的一端。

一種制備上述倒置結構OLED器件的制備方法，包括以下步驟：

(1)、碳酸銫-乙醇溶液的制備：將99.99％的碳酸銫粉體添加到99.7％的乙醇溶液中，并在100℃下持續加熱至所述碳酸銫粉體完全溶解，制得濃度為2-8％的碳酸銫-乙醇溶液。

(2)、氧化鋅-甲醇溶液的制備：將99.5％的氧化鋅納米粉體溶于99.9％的甲醇中，制得濃度為0.2-0.4％的氧化鋅-甲醇溶液。

(3)、混合溶液的制備：將重量比為1-2:2-1的氧化鋅-甲醇溶液和碳酸銫-乙醇溶液進行混合，制得所述混合溶液。

(4)、ITO透明陰極的處理：將ITO鍍膜玻璃片置于超聲頻率為40KHz的超聲清洗儀中并加入蒸餾水超聲10-15min，并更換蒸餾水重復三次，將所述超聲清洗儀中的蒸餾水更換為氯仿，超聲10-15min并重復兩次，將所述超聲清洗儀中的氯仿更換為重量份數為10:1的異丙醇和丙酮，超聲10-15min并重復兩次，最后在紫外臭氧清洗機里進行輻射15-30min，得到所述ITO透明陰極。

(5)、倒置結構OLED器件的制備：在所述ITO透明陰極上以3000轉/min的速度旋轉涂覆所述碳酸銫-乙醇溶液和氧化鋅-甲醇溶液中的一種或兩種或混合溶液，然后在130-160℃的退火爐中進行退火15-30min，制得所述強電子注入層，然后在真空度為10^-4pa的多源熱沉積真空室中依次沉積所述BPhen電子傳輸層、TAZ發光層、CBP空穴傳輸層、三氧化鉬空穴注入層和Al陽極，制得所述倒置結構OLED器件。

所述步驟(5)中旋轉涂覆所述碳酸銫-乙醇溶液和氧化鋅-甲醇溶液的步驟為先旋轉涂覆所述氧化鋅-甲醇溶液，再旋轉涂覆所述碳酸銫-乙醇溶液。