[發明專利]雙列并行CCD傳感器及使用傳感器的檢驗系統有效
| 申請號: | 202010430345.6 | 申請日: | 2017-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN111564462B | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 勇-霍·亞歷克斯·莊;張璟璟;S·察梅克;約翰·費爾登;德維斯·孔塔拉托;戴維·L·布朗 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/361;H04N5/372;H04N5/3722;H04N5/3725;H04N5/378;G06T7/00;G01N21/956;G01N21/95;H01L29/768 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 劉麗楠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 并行 ccd 傳感器 使用 檢驗 系統 | ||
1.一種圖像傳感器,其包括:
第一像素及第二像素,其分別經配置以根據一或多個像素控制信號產生第一圖像電荷及第二圖像電荷;及
讀出電路,其包括:
第一轉移門及第二轉移門,其分別經配置以從所述第一像素及所述第二像素接收所述第一圖像電荷及所述第二圖像電荷;
第三轉移門及第四轉移門,其分別經配置以從所述第一轉移門及所述第二轉移門接收所述第一圖像電荷及所述第二圖像電荷;
求和門,其耦合到所述第三轉移門及所述第四轉移門;及
輸出電路,其耦合到所述求和門,
其中所述第一轉移門及所述第四轉移門被耦合且所述第二轉移門及所述第三轉移門被耦合,以使得施加到所述第一轉移門的第一轉移門控制信號基本上同時施加到所述第四轉移門,并使得施加到所述第二轉移門的第二轉移門控制信號基本上同時施加到所述第三轉移門,及
其中所述求和門經配置以在第一時間周期期間從所述第三轉移門接收所述第一圖像電荷,并隨后根據求和門控制信號將所述第一圖像電荷傳遞到所述輸出電路,并且所述求和門進一步經配置以在第二時間周期期間從所述第四轉移門接收所述第二圖像電荷,并隨后根據所述求和門控制信號將所述第二圖像電荷傳遞到所述輸出電路。
2.根據權利要求1所述的傳感器,其中所述輸出電路包括經配置以接收和存儲所述第一圖像電荷和所述第二圖像電荷的浮動擴散部,以及耦合到所述浮動擴散部的放大器,所述放大器經配置以當所述第一圖像電荷存儲在所述浮動擴散部上時產生第一輸出電壓信號,并經配置以當所述第二圖像電荷存儲在所述浮動擴散部上時產生第二輸出電壓信號。
3.根據權利要求1所述的傳感器,其進一步包括布置成偶數個列的像素陣列,
其中所述讀出電路包括多個讀出結構,所述讀出結構中的每一者連接到相關聯的一對所述列,并且包括四個轉移門、求和門和放大器。
4.根據權利要求3所述的傳感器,其中所述讀出結構中的每一者的所述放大器包括金屬互連件,其中不同放大器的所述金屬互連件的電容基本相似。
5.根據權利要求3所述的傳感器,其中所述放大器中的每一者包括金屬互連件,其中不同放大器的所述金屬互連件的面積基本相似。
6.根據權利要求3所述的傳感器,其中所述像素陣列由一或多個像素行組成。
7.一種圖像傳感器,其包括:
半導體襯底;
Y形埋入擴散部,其形成在所述襯底中且包括平行的第一伸長部分及第二伸長部分,所述第一伸長部分及所述第二伸長部分通過V形合并區段連接到第三伸長部分;
多個像素門結構,其分別形成于所述第一伸長部分及所述第二伸長部分上方;
第一轉移門結構及第二轉移門結構,其分別形成于所述第一伸長部分及所述第二伸長部分上方并布置在所述像素門結構及所述V形合并區段之間;
第三轉移門結構及第四轉移門結構,其分別形成于所述第一伸長部分及所述第二伸長部分上方并分別布置在所述第一轉移門結構與所述V形合并區段之間及所述第二轉移門結構與所述V形合并區段之間;
求和門結構,其形成于所述V形合并區段上方;及
輸出電路,其耦合到所述第三伸長部分,
其中所述第一轉移門結構及所述第四轉移門結構被耦合,以使得施加到所述第一轉移門結構的第一控制信號基本上同時施加到所述第四轉移門結構,并且
其中所述第二轉移門結構及所述第三轉移門結構被耦合,以使得施加到所述第二轉移門結構的第二控制信號基本上同時施加到所述第三轉移門結構。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中所述第一轉移門結構和第四轉移門結構通過第一導電鏈接結構連接,使得施加到所述第一轉移門結構的所述第一控制信號通過所述第一導電鏈接結構傳遞到所述第四轉移門結構。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第一導電鏈接結構包括金屬和多晶硅中的一者。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于科磊股份有限公司,未經科磊股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010430345.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





