[發明專利]一種微同軸傳輸線及其制備方法及金屬3D打印裝置

有效

• 申請號: 202010430174.7
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111509349B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 趙家慶;沈瑋;陳桂蓮;馬軍偉;張理正
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H01P3/06
• 分類號: H01P3/06;H01P11/00;B22F3/105;B22F7/04;B33Y10/00;B33Y80/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 賀姿;胡晶

1.一種微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一襯底基板，所述襯底基板包括第一表面和第二表面；

S2：采用金屬3D打印技術按照預先設定的程序在所述襯底基板的第一表面上，打印制得下層外導體，同時形成下腔體，激光功率為0.5～1.5kW，激光光斑直徑為5～15μm，激光掃描速度為1～3μm/s；

S3：采用光固化3D打印技術或點膠固化技術或標準光刻固化技術在所述下腔體內形成支撐層；

S4：采用所述步驟S2的方法在所述支撐層上，打印制得內導體；

S5：采用所述步驟S2的方法在所述下層外導體的上端面上，打印制得上層外導體，所述上層外導體蓋于所述下層外導體上構成具有內腔體的外導體，所述支撐層和所述內導體位于所述內腔體內，形成所述微同軸傳輸線。

2.根據權利要求1所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述步驟S2進一步包括如下步驟：

S21：準備金屬粉末，所述金屬粉末的直徑不超過20μm，并將所述襯底基板預熱至150～250℃；

S22：3D打印機的鋪粉裝置將一定厚度的所述金屬粉末推至所述襯底基板上；

S23：根據所述微同軸傳輸線模型的各層切片掃描路徑，控制激光束將所述金屬粉末融化成型；

S24：重復步驟S22～S23，打印制得所述下層外導體。

3.根據權利要求2所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中的金屬3D打印技術為選擇性電子束熔融金屬3D打印技術或激光熔覆式金屬3D打印技術或直接激光燒結金屬3D打印技術或選擇性激光燒結金屬3D打印技術或選擇性激光熔化金屬3D打印技術。

4.根據權利要求1所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述步驟S3進一步包括如下步驟：

S31：采用光刻膠填充入所述下腔體內；

S32：采用掩模板對填充入所述下腔體內的光刻膠進行紫外曝光，紫外激光波長為350nm～380nm，紫外激光功率為80～120mJ/cm²；

S33：將經過步驟S32處理過的光刻膠置于丙二醇甲醚醋酸酯溶液中進行顯影處理，制得所述支撐層，顯影時間為80～100s。

5.根據權利要求1所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述內導體和外導體的材料為金屬銅或銅合金。

6.根據權利要求1所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述支撐層的材料為光敏樹脂或光刻膠。

7.根據權利要求6所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述光敏樹脂為聚酰胺或聚酯或聚碳酸酯或聚乙烯或聚丙烯或丙烯腈-丁二烯。

8.根據權利要求6所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述光刻膠為SU8負性光刻膠。

9.根據權利要求1所述的微同軸傳輸線的制備方法，其特征在于，所述襯底基板的材料包括100晶向雙面拋光的硅片晶圓或金屬或有機高分子聚合物。