[發(fā)明專利]熔融玻璃傳送裝置、玻璃制造裝置及玻璃制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010429815.7 | 申請日: | 2020-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN111977942A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 平兼慎司 | 申請(專利權(quán))人: | AGC株式會社 |
| 主分類號: | C03B5/225 | 分類號: | C03B5/225;C03B7/02;C03C3/091;C03C21/00 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊青;安翔 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熔融 玻璃 傳送 裝置 制造 方法 | ||
1.一種熔融玻璃傳送裝置,具備:
熔融玻璃用導(dǎo)管結(jié)構(gòu)體,包括至少一根由鉑或鉑合金構(gòu)成的導(dǎo)管;
第一陶瓷結(jié)構(gòu)體,設(shè)置在所述導(dǎo)管中的至少一根導(dǎo)管的周圍;
第二陶瓷結(jié)構(gòu)體,設(shè)置在所述第一陶瓷結(jié)構(gòu)體的周圍;及
第三陶瓷結(jié)構(gòu)體,設(shè)置在所述第一陶瓷結(jié)構(gòu)體與所述第二陶瓷結(jié)構(gòu)體之間,
所述第三陶瓷結(jié)構(gòu)體具有氣體流路,向所述氣體流路供給200℃以上的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體為600℃以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體是包含氫原子的氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體是還包含非活性氣體的混合氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述第三陶瓷結(jié)構(gòu)體在內(nèi)部具有所述氣體流路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述第三陶瓷結(jié)構(gòu)體與所述第一陶瓷結(jié)構(gòu)體及所述第二陶瓷結(jié)構(gòu)體中的至少任一方的至少一部分不接觸,在所述不接觸的區(qū)域具有所述氣體流路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體流路沿所述導(dǎo)管中的至少一根導(dǎo)管的周向及軸向中的至少任一方的方向形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體流路沿所述軸向形成有兩個以上,且沿所述周向隔開間隔地形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體流路沿所述周向形成有兩個以上,且沿所述軸向隔開間隔地形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述熔融玻璃傳送裝置在所述第一陶瓷結(jié)構(gòu)體與所述第三陶瓷結(jié)構(gòu)體之間的至少一部分的區(qū)域還具備構(gòu)件,
所述構(gòu)件設(shè)置成與所述第一陶瓷結(jié)構(gòu)體及所述第三陶瓷結(jié)構(gòu)體接觸,并覆蓋所述氣體流路的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述構(gòu)件包含玻璃纖維或陶瓷纖維,以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量%表示,SiO2含量為50%以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述構(gòu)件的厚度為0.5mm以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述熔融玻璃傳送裝置還具備氣體供給系統(tǒng),
所述氣體供給系統(tǒng)具有生成氣體的氣體生成裝置、對生成的所述氣體進(jìn)行加熱的氣體加熱裝置以及將加熱后的所述氣體向所述氣體流路供給的供給管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述氣體供給系統(tǒng)還具有將通過了所述氣體流路的所述氣體排出的排氣管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熔融玻璃傳送裝置,其中,
所述熔融玻璃用導(dǎo)管結(jié)構(gòu)體具有至少各一根的主管和分支管作為所述導(dǎo)管,所述主管在鉛垂方向上具有中心軸,所述分支管與所述主管連通并在水平方向上具有中心軸,
所述供給管及所述排氣管中的至少任一方設(shè)置在比所述主管中充滿的熔融玻璃的高度低的位置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于AGC株式會社,未經(jīng)AGC株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010429815.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:記錄裝置
- 下一篇:清洗裝置和方法以及用于這種裝置的流體控制閥





