[發明專利]一種金屬硅化物的制備方法、半導體器件、電子設備

在審

• 申請號: 202010426651.2
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN113690133A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 金玄永;郭挑遠;徐康元;熊文娟;高建峰;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L29/45;H01L29/78
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種金屬硅化物的制備方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，所述硅襯底具有摻雜區；

在硅襯底上形成介電層，在所述介電層中形成接觸孔，所述接觸孔露出所述摻雜區；

在所述摻雜區上形成金屬層；

進行第一次熱處理；

通過所述接觸孔向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域補充含有硅元素的材料；

進行第二次熱處理。

2.根據權利要求1所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，在所述第一次熱處理之后、在所述第二次熱處理之前，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

通過所述接觸孔向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域進一步補充摻雜半導體材料。

3.根據權利要求2所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域補充含有硅元素的材料之后，向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域進一步補充所述摻雜半導體材料。

4.根據權利要求2或3所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，所述金屬硅化物為NiSi、TiSi₂、CoSi₂中的至少一種。

5.根據權利要求1-3任一項所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，在形成所述介電層之后、進行所述第一次熱處理之前，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

在所述金屬層上形成保護層；

在向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域補充含有硅元素的材料之后、進行所述第二次熱處理之前，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

去除所述保護層。

6.根據權利要求1-3任一項所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域補充的含有硅元素的材料包括Si₂、SiF₄中的至少一種。

7.根據權利要求2或3所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，向所述摻雜區和所述金屬層所在的區域進一步摻雜的所述摻雜半導體材料包括As或BF₂。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括金屬硅化物，所述金屬硅化物由權利要求1-7任一項所述的金屬硅化物的制備方法制備得到。

9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求8所述的半導體器件。

10.根據權利要求9所述的電子設備，其特征在于，所述電子設備包括智能電話、計算機、平板電腦、可穿戴智能設備、人工智能設備、移動電源中的至少一種。