[發明專利]局部電鍍方法

在審

• 申請號: 202010426219.3
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111676495A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 喻青山
• 申請（專利權）人: 安費諾精密連接器（深圳）有限公司
• 主分類號: C25D5/02
• 分類號: C25D5/02;C25D5/14;C25D5/56
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 王毅

1.一種局部電鍍方法，用于給連接器外殼局部形成電鍍屏蔽層，其特征在于，所述局部電鍍方法包括：

提供連接器外殼和遮蔽組件，將所述遮蔽組件安裝在所述連接器外殼不需要電鍍屏蔽層的區域，獲得預處理產品；

對所述預處理產品進行表面電鍍，得到具有電鍍屏蔽層的連接器外殼；

移除所述具有電鍍屏蔽層的連接器外殼中的所述遮蔽組件，得到成品。

2.如權利要求1所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述電鍍屏蔽層包括鍍銅層和鍍鎳層。

3.如權利要求2所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述對所述預處理產品進行表面電鍍，得到具有電鍍屏蔽層的連接器外殼工序包括以下步驟：

將預處理產品進行物理噴砂以增大所述預處理產品表面粗糙度并清洗完成噴砂工序的所述預處理產品表面的砂粒，得到噴砂產品；

粗化所述噴砂產品并清洗完成粗化工序的所述噴砂產品，得到粗化產品；

對所述粗化產品進行活化處理并進行水洗，得到活化產品；所述活化處理的具體實施方式為：將所述粗化產品浸泡到活化液中以使所述活化液中的Pd-Sn膠體吸附到所述連接器外殼表面，所述活化液的成份包括氯化鈀、氯化亞錫和氯化鈉；

對所述活化產品加速處理以將所述連接器外殼吸附的Pd-Sn膠體的Sn去除并進行水洗，得到Pd活性化產品；

對所述Pd活性化產品進行表面電鍍，得到具有電鍍屏蔽層的連接器外殼。

4.如權利要求3所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述對所述Pd活性化產品進行表面電鍍，得到具有電鍍屏蔽層的連接器外殼工序包括以下步驟：

將所述Pd活性化產品浸泡入硫酸鎳以在所述連接器外殼生成鎳膜，得到具有所述鎳膜的產品；

將所述具有鎳膜的產品浸泡入硫酸銅以在所述鎳膜上形成鍍銅層并進行水洗，得到具有所述鎳膜和鍍銅層的產品；

使用中磷化學鎳在所述鍍銅層上電鍍以形成第一鎳層，得到具有所述鍍銅層和所述第一鎳層的產品；

使用高磷化學鎳在所述第一鎳層上電鍍以形成第二鎳層并進行水洗，得到具有所述鍍銅層和鍍鎳層的產品，所述鍍鎳層包括所述第一鎳層和所述第二鎳層；

烘干具有所述鍍銅層和所述鍍鎳層的產品，得到具有所述電鍍屏蔽層的連接器外殼。

5.如權利要求3所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述粗化所述噴砂產品并清洗完成粗化工序的預處理產品工序中，使用硫酸和絡酸酐對所述噴砂產品進行粗化處理，粗化溫度為75-80攝氏度，粗化時間為15-20min。

6.如權利要求1所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述遮蔽組件包括用于屏蔽所述連接器外殼外表面的第一遮蔽件和用于屏蔽所述連接器外殼內表面的第二遮蔽件的至少一個；當所述連接器外殼僅需要屏蔽連接器外表面的局部區域時，將所述第一遮蔽件套設在所述外表面的局部區域，所述第一遮蔽件與所述連接器外殼緊密配合；當所述連接器外殼僅需要屏蔽連接器內表面的局部屏蔽區域時，將所述第二遮蔽件塞入所述連接器內表面的局部屏蔽區域，所述第二遮蔽件與所述連接器外殼緊密配合；當所述連接器外殼同時需要屏蔽連接器外表面的局部區域和連接器內表面的局部屏蔽區域，將所述第一遮蔽件套設在所述外表面的局部區域，將所述第二遮蔽件塞入所述連接器內表面的局部屏蔽區域，且所述第一遮蔽件和所述第二遮蔽件均與所述連接器外殼緊密配合。

7.如權利要求6所述的局部電鍍方法，其特征在于，當所述遮蔽組件包括第一遮蔽件時，所述遮蔽組件還包括與所述第一遮蔽件配合使用的壓緊件，所述壓緊件套設在所述第一遮蔽件的外表面以使所述第一遮蔽件與所述連接器外殼緊密配合。

8.如權利要求7所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述第一遮蔽件為硅膠件，所述壓緊件為剛性件。

9.如權利要求7所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述第二遮蔽件為硅膠件。

10.如權利要求1所述的局部電鍍方法，其特征在于，所述連接器外殼為聚醚酰亞胺樹脂外殼。