[發(fā)明專利]一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010424053.1
• 申請(qǐng)日: 2020-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN111424249B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張斌;賈倩;張俊彥;高凱雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院蘭州化學(xué)物理研究所
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/58
• 代理公司: 蘭州智和專利代理事務(wù)所(普通合伙) 62201
• 代理人: 張英荷

1.一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，包括以下工藝步驟：

（1）含氫碳薄膜的制備：采用高功率磁過濾電弧離子鍍?cè)诨咨铣练e生長(zhǎng)含氫碳薄膜；含氫碳薄膜厚度為790~850nm；

（2）納米硫粉復(fù)合含氫碳薄膜：將納米硫粉超聲分散于乙醇中配置成質(zhì)量濃度0.025~0.1%的納米硫粉溶液，然后將納米硫粉溶液均勻地涂抹在含氫碳薄膜上，并在室溫下自然風(fēng)干，即得超滑納米硫粉復(fù)合含氫碳超滑薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：所述基底為不銹鋼、工具鋼、硅片。

3.如權(quán)利要求1所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：步驟（1）中，高功率磁過濾電弧離子鍍制備氫碳薄膜的工藝：將清洗干凈的基底置入真空室，抽真空至1×10^-3 Pa，充入氬氣1Pa，打開磁過濾Cr金屬電弧，調(diào)整電流100A，偏壓200V，沉積10分鐘；然后打開磁過濾石墨電弧，脈沖電流500A，脈沖寬度500微秒，充入氫氣，在氣壓1Pa，偏壓100V下沉積79分鐘，獲得含氫碳薄膜。

4.如權(quán)利要求1所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：將含氫碳薄膜的親水性處理后再進(jìn)行負(fù)載納米硫粉；含氫碳薄膜的親水性處理，是將含氫碳薄膜進(jìn)行超聲清洗后置于濃硫酸/高錳酸鉀混合溶液中處理4小時(shí)，使碳膜表面羥基化；處理完成后用純水完全沖洗干凈，烘干；其中，濃硫酸/高錳酸鉀混合溶液為：15ml濃硫酸與1ml濃度1mol/L的高錳酸鉀混合。

5.如權(quán)利要求1所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：步驟（2）中，納米硫粉是球磨法制備：將硫粉以0. 5g/ml的比例分散于介質(zhì)中，放入球磨罐，加入直徑3mm的氧化鋯球，控制球料比為1:40，球磨機(jī)轉(zhuǎn)速300轉(zhuǎn)/小時(shí)，持續(xù)3000分鐘，獲得納米硫粉溶液，烘干，即得納米硫粉。

6.如權(quán)利要求5所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：所述介質(zhì)為水、乙醇、異丙醇。

7.如權(quán)利要求1所述一種超滑納米硫復(fù)合含氫碳膜制備方法，其特征在于：步驟（2）中，納米硫粉溶液可以滴涂、噴涂、浸漬的方式涂抹在含氫碳薄膜上。